Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) realizado em 21/11/2017

Helder Vinicius Avanco Galeti

Professor adjunto III do Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar). Possui formação em física básica e aplicada pela UFSCar, onde concluiu seu bacharelado (2005), licenciatura plena (2007), mestrado (2007) e doutorado (2012) em Física da Matéria Condensada. Também realizou pós-doutorado (2012-2013) na UFSCar com bolsa FAPESP. Tem experiência na área de Física e Engenharia Elétrica, com ênfase nas propriedades ópticas, magneto-ópticas e transporte eletrônico de materiais e dispositivos semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: nanoestruturas semicondutoras do tipo III-V, diodos de tunelamento ressonante, nanofios semicondutores, ligas de alta desordem, spintronica. Atualmente, coordena dois projetos de pesquisa na área de optoeletrônica em parceria com ORC-TUT (Finlândia), financiados pelas agências CAPES e Fapesp, e orienta/supervisiona alunos de iniciação científica, mestrado e pós-doutorado. (Texto informado pelo autor)

  • http://lattes.cnpq.br/3876752605313288 (19/10/2017)
  • Rótulo/Grupo:
  • Bolsa CNPq:
  • Período de análise: 2013-2017
  • Endereço: Universidade Federal de São Carlos, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica. Rodovia Washington Luiz (SP 310), km 235 Monjolinho 13565905 - São Carlos, SP - Brasil - Caixa-postal: 676 Telefone: (16) 33519701 Ramal: 6416
  • Grande área: Ciências Exatas e da Terra
  • Área: Física
  • Citações: Google Acadêmico

Produção bibliográfica

Produção técnica

Produção artística

Orientações em andamento

Supervisões e orientações concluídas

Projetos de pesquisa

Prêmios e títulos

Participação em eventos

Organização de eventos

Lista de colaborações

Produção bibliográfica

Produção técnica

Produção artística

Orientações em andamento

Supervisões e orientações concluídas

Projetos de pesquisa

  • Total de projetos de pesquisa (8)
    1. 2016-Atual. Propriedades oticas, magneto-oticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transicao dicalcogenados
      Descrição: Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de "chemical vapor deposition"(CVD) em diversas colaborações internacionais.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (2) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Fernando Iikawa - Integrante / Odilon Divino Damasceno Couto - Integrante / Ariano D. Rodrigues - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    2. 2015-Atual. TRANSPHOTON - Tailoring the transport and optical properties of III-Bi-V nanostructures for advanced photonic devices - Chamada FAPESP-AKA Proc: 14/50513-7
      Descrição: The project aims at breakthrough developments concerning the technology and applications of emerging III-Bi-V semiconductor materials , nanostructures and nanodevices such as solar cells and lasers. We will combine the state-of-the-art material synthesis and device fabrication facilities available at the Optoelectronics Research Centre (Finnish partners) with the broad expertise of transport and optical properties of semiconductor materials available at UFSCAR (Brazilian partner). From a generic perspective the project targets to establish a long standing cooperation between leading research actors in Finland and Brazil.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (2) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Coordenador / Yara Galvão Gobato - Integrante / Marcio Peron Franco Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / Academy of Finland - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    3. 2015-Atual. POTENBi - Propriedades Opticas de de Transporte em nanoestruturas III-N/Bi-V para aplicacoes fotovoltaicas - Projeto Pesquisador visitante Especial (PVE) / PROGRAMA CIENCIA SEM FRONTEIRAS - Chamada 09/2014 - Capes 88881.068192/2014-01
      Descrição: Neste projeto de pesquisa serão investigadas as propriedades ópticas, magneto-óticas e o transporte eletrônico em nanoestruturas semicondutoras III-N/Bi-V, com vistas a sua aplicação em sistemas fotovoltaicos de alta eficiência. As investigações dessas propriedades vão em direção ao desenvolvimento de uma classe emergente de novos materiais que procuram utilizar o espectro solar na conversão de energia fotovoltaica de forma mais abrangente e eficiente. Em particular, o coordenador técnico pretende desenvolver pesquisas em parceria com o bolsista PVE deste projeto, o Dr. Mircea Guina, tanto no Centro de Pesquisa em Optoeletrônica (ORC) da Tampere University of Technology (Finlândia) quanto nos laboratórios de pesquisa do Departamento de Física e de Engenharia Elétrica da UFSCar, no campus de São Carlos, através de visitas científicas dos integrantes da equipe. Deseja-se inserir a formação de estudantes de pós-graduação e a produção de conhecimento técnico-científico no contexto deste trabalho, através do contato estreito e direto com uma liderança internacionalmente reconhecida na área de tecnologias semicondutoras. Serão avaliadas, de forma sistemática, as propriedades físicas de diversas nanoestruturadas semicondutoras construídas a partir de ligas de materiais III-N/Bi-V, preparadas pela equipe do Dr. Mircea Guina. Para a caracterização das propriedades físicas serão utilizadas técnicas ópticas e magneto-opticas (PL, magneto-PL, transmissão e absorção UV-Vis-IR), além de técnicas de transporte e magneto-transporte (fotocorrente, corrente-tensão DC (I-V), capacitância-tensão (C-V), capacitância-frequencia (C-f), deep-level transient spectroscopy (DLTS)). As propriedades ópticas e magneto-ópticas serão investigadas utilizando a infraestrutura de pesquisa instalada na UFSCar. Além de possibilitar o estudos e a caracterização de propriedades físicas em materiais fotovoltaicos emergentes, a formação de pessoal capacitado para atuar em áreas tecnológicas avançadas é um ponto importante deste projeto. Por fim, vale ressaltar que a adaptação e melhoria das propriedades e performances de células solares é um ponto de interesse estratégico para o país, a fim de aumentar a inovação tecnológica, a competitividade industrial e o desenvolvimento sustentável no campo das energias limpas.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Coordenador / Yara Galvão Gobato - Integrante / Marcio P. F. Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante / Giuseppe Antonio Cirino - Integrante / LUIS ALBERTO MIJAM BAREA - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
      Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (2) . Integrantes: Edivaldo Lopes dos Santos - Integrante / Thiago Melo - Coordenador / Marek Golasinski - Integrante / Gustavo Cazzeri Innocencio Figueiredo - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
      Membro: Edivaldo Lopes dos Santos.
    4. 2014-2016. Sintese e propriedades opticas de sistemas semicondutores para aplicacao em spintronica - FAPESP Proc: 2013/17657-2
      Descrição: Nossa proposta é a investigação de sistemas semicondutores para aplicação em spintrônica. A base de nossa investigação é a espectroscopia de fotoluminescência com resolução espacial, chama de micro-PL (uPL). Para potencial aplicação destes materiais é desejável, do ponto de vista de propriedades ópticas, que o sistema semicondutor exiba algum grau de polarização próximo à temperatura ambiente. Nosso estudo envolve o desenvolvimento de um sistema de síntese de óxidos por spray-pirólise. Nesta fase, estudaremos ZnO depositados sobre material amorfo ou cristalino e, posteriormente, inseriremos Co ou Cd durante o processo de crescimento. Em particular, temos interesse em estudar as condições nas quais estes sistemas exibam grau de polarização circular em sua emissão óptica, tanto na presença quanto na ausência de campo magnético externo em um amplo intervalo de temperatura. Com este propósito, otimizaremos o sistema de caracterização óptica e magneto-óptica na região do visível-ultravioleta de forma que, somando nossos resultados às caracterizações estruturais, elétricas e magnéticas destes materiais, possamos contribuir para a compreensão, otimização e desenvolvimento da área de spintrônica. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Doutorado: (1) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Galvão Gobato, Y - Integrante / DE GODOY, M P F - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    5. 2014-Atual. Investigacao de propriedades oticas e eletricas de novos materiais semicondutores para aplicacoes no infravermelho
      Descrição: Esse projeto tem como objetivo realizar o estudo sistemático das propriedades óticas, magnetoópticas, de transporte e magneto-transporte em nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais semicondutores de baixo ?gap? de energia (da ordem de 1 eV) para aplicações em células solares mais eficientes e lasers de poço quântico na região de infravermelho e também para possíveis aplicações em spintrônica. Para isso, contamos com diversas colaborações internacionais tais como:Prof. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) e Prof Robert Kudrawiec do Institute of Physics, Wroclaw University of Technology (Polônia), Prof Mircea Guina do Optoeletronic Research Center-Tampere University of Technology, Prof Charles Cornet do FOTON-OHM Laboratory- Institut National des Sciences Appliquées de Rennes (INSA) Pretendemos estudar diversos sistemas tais comonanoestruturas contendo novos materiais e nanoestruturas semicondutores baseadas em GaBiAs, GaNAsBi, GaAsN, InGaAsN , GaPN, InGaPN, GaAsPN e GaPNSb crescidos em diferentes orientaçõescristalinas. De forma geral, pretendemos investigar: efeitos de localização e de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs , GaAs/ GaNAsBi, e filmes de GaNP/GaP, GaAsP/GaP, GaPNSb/GaP e etc, efeitos de interação spin-órbita, a dependência do fator-g de Landé com o confinamento quântico e com a orientação do campo magnético, a polarização de spin de elétrons e de buracos nesses novos sistemas e etc. Pretendemos explorar esses assuntos tanto do ponto de vista de Física Fundamental como do ponto de Física de Física Aplicada, visando a possível otimização dos dispositivos semicondutores para possíveis aplicações, tais como filtros de spin, célulassolares convencionais e células solares de spin e lasers no infravermelho.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Marcelo Rizzo Piton - Integrante / Gabriel Prando - Integrante.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    6. 2013-2016. Propriedades oticas, eletricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores -FAPESP Proc: 12/24055-6
      Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Marcio P. F. Godoy - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    7. 2013-2016. Electrical and Optical properties of Semiconductor and Hybrid Semiconductor/Organic Nanostructures and Nanodevices - Projeto Pesquisador Visitante Especial (PVE) / PROGRAMA CIENCIA SEM FRONTEIRAS - Chamada 71/2013 - Capes A067/2013
      Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Marcio P. F. Godoy - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
    8. 2013-2016. Quantum transport and magneto-optical phenomena in hybrid magnetic semiconductor/topological insulator heterostructures - Projeto Pesquisador visitante Especial (PVE) / PROGRAMA CIENCIA SEM FRONTEIRAS - Chamada 71/2013 - Capes 401757/2013-7
      Descrição: In this proposal, we plan to carry out measurements of quantum transport and magneto-optical phenomena in epitaxial heterostructures of 3D topological insulators such as Bi2Se3. In particular, we are interested in exploring the novel physics that emerges when these materials are interfaced with ferromagnetism. We will focus on studying "hybrid" topological insulator/ferromagnetic semiconductor heterostructure devices with the intent of creating novel opportunities for "magnetically gated" semiconductor spintronic devices that exploit the inherently spin-polarized nature of electron transport in topological insulator surface states.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Galvão Gobato, Y. - Integrante / Nitin Samarth - Integrante / Marcio Peron Franco Godoy - Coordenador. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
      Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.

Prêmios e títulos

  • Total de prêmios e títulos (1)
    1. The Best Paper Award - 29th SBMICRO (Symposium on Microelectronics Technology and Devices), 1-5/set/2014, Aracaju-SE, Sociedade Brasileira de Micoreletrônica.. 2014.
      Membro: Helder Vinícius Avanço Galeti.

Participação em eventos

  • Total de participação em eventos (11)
    1. 32th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro).Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. 2017. (Simpósio).
    2. Compound Semiconductor Week 2017. Carrier localization effects in GaBiAs QWs grown on (311)B GaAs substrates. 2017. (Congresso).
    3. 31st SBMicro - Symposium on Microelectronics Technology and Devicesces. 2016. (Simpósio).
    4. Workshop on Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides Materials and Photovoltaic Devices.Optical and spin properties of III-N/Bi-V Nanostructures for advanced photonic devices. 2016. (Oficina).
    5. 17th BWSP - Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Carrier localization e ffects on optical and magneto-optical properties of (100) and (311)B GaAsBi/GaAs quantum wells. 2015. (Congresso).
    6. 18th European Molecular Beam Epitaxy workshop - EUROMBE 2015.Carrier Localization Effects in GaBiAs Layers. 2015. (Oficina).
    7. 8th International Summer School 'New Frontiers in Optical Technologies'.8th International Summer School. 2015. (Outra).
    8. 29th SBMicro - Symposium on Microelectronics Technology and Devices.Circular polarization in n-type resonant tunneling diodes with Si delta-doping in the quantum well. 2014. (Simpósio).
    9. 32nd ICPS - International Conference on the Physics of Semiconductors. Optical and magneto-optical investigation of spin effects in InGaAsN/GaAs quantum wells. 2014. (Congresso).
    10. 8th ICPS - International Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids (PASPS VIII). Electron spin dynamics in a resonant tunneling structure. 2014. (Congresso).
    11. 16th BWSP - Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Spin filtering effects in InGaAsN/GaAs quantum wells. 2013. (Congresso).

Organização de eventos

  • Total de organização de eventos (0)

    Lista de colaborações

    • Colaborações endôgenas (3)
      • Helder Vinícius Avanço Galeti ⇔ Yara Galvão Gobato (9.0)
        1. BALANTA, M.A.G. ; ORSI GORDO, V. ; CARVALHO, A.R.H. ; PUUSTINEN, J. ; ALGHAMDI, H.M. ; HENINI, M. ; GALETI, H.v.a. ; GUINA, M. ; GALVÃO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1−xBix/GaAs quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE. v. 182, p. 49-52, issn: 0022-2313, 2017.
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        2. ORSI GORDO, V. ; GOBATO, Y. GALVÃO ; Galeti, H. V. A. ; BRASIL, M. J. S. P. ; TAYLOR, D. ; HENINI, M.. Spin Polarization of Carriers in InGaAs Self-Assembled Quantum Rings Inserted in GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Devices. Journal of Electronic Materials. v. 46, p. 3851-3856, issn: 0361-5235, 2017.
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        3. BALANTA, M. A. G. ; KOPACZEK, J. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, B. H. B. ; RODRIGUES, A. D. ; GALETI, H. V. A. ; RICHARDS, R. D. ; BASTIMAN, F. ; DAVID, J. P. R. ; R. Kudrawiec, ; GALVÃO GOBATO, Y.. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi As /GaAs multiple quantum wells. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 355104, issn: 0022-3727, 2016.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        4. RODRIGUES, D. ; Brasil, M J S P ; M.Orlita ; Jan Kunc ; GALETI, H. V.a. ; Henini, M. ; D. Taylor ; GOBATO, Y.GALVÃO. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 165104, issn: 0022-3727, 2016.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        5. NOBREGA, J. ARAÚJO E ; GORDO, V. ORSI ; GALETI, H.v.a. ; GOBATO, Y. GALVÃO ; BRASIL, M.j.s.p. ; TAYLOR, D. ; ORLITA, M. ; HENINI, M.. Spin polarization of carriers in resonant tunneling devices containing InAs self-assembled quantum dots. Superlattices and Microstructures. v. 88C, p. 574-581, issn: 0749-6036, 2015.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        6. GALETI, H. V. A. ; BRASIL, Maria J. S. P. ; Gobato, YG ; HENINI, M.. Voltage controlled electron spin dynamics in resonant tunnelling devices. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 165102, issn: 0022-3727, 2014.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        7. I. Taj Awan ; GALETI, H. V. A. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; BRASIL, Maria J. S. P. ; TAYLOR, D. ; HENINI, Mohamed. Effects of Be acceptors on the spin polarization of carriers in p-i-n resonant tunneling diodes. Journal of Applied Physics. v. 116, p. 054506, issn: 0021-8979, 2014.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        8. CARVALHO, A. H. ; Vanessa Orsi Gordo ; GALETI, Helder V.a. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Kudrawiec R ; Lemine O ; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 075103, issn: 0022-3727, 2014.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        9. GALETI, H. V. A. ; BEZERRA, A. T. ; GOBATO, Y.GALVÃO ; BRASIL, M. ; TAYLOR, D. ; HENINI, M.. Optical and electrical control of spin polarization of two-dimensional hole gases in p-type resonant tunnelling devices. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 46, p. 505313, issn: 0022-3727, 2013.
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      • Helder Vinícius Avanço Galeti ⇔ Marcio Peron Franco de Godoy (2.0)
        1. CARVALHO, A. H. ; Vanessa Orsi Gordo ; GALETI, Helder V.a. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Kudrawiec R ; Lemine O ; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 075103, issn: 0022-3727, 2014.
          [ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
        2. GALETI, H. V.A. ; Galvão- GOBATO, Y ; de Godoy, M. P. F. ; FRANCO, M. A. M. ; KHATAB, A. ; HENINI, M. ; SADEGHI, M. ; WANG, S.. Spin filtering effects in InGaAsN/GaAs quantum wells. Em: 16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2013, Itirapina. 16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2013.
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      • Helder Vinícius Avanço Galeti ⇔ Ariano De Giovanni Rodrigues (1.0)
        1. BALANTA, M. A. G. ; KOPACZEK, J. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, B. H. B. ; RODRIGUES, A. D. ; GALETI, H. V. A. ; RICHARDS, R. D. ; BASTIMAN, F. ; DAVID, J. P. R. ; R. Kudrawiec, ; GALVÃO GOBATO, Y.. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi As /GaAs multiple quantum wells. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 355104, issn: 0022-3727, 2016.
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    Data de processamento: 24/11/2017 12:06:51