Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) realizado em 21/11/2017

Yara Galvao Gobato

Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo (1986), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1989) e doutorado em Física pela Ecole Normale Superieurie e Université Paris 6 , Paris, França (1993). Atualmente ocupa a posição de Professor Associado 4 da Universidade Federal de São Carlos. Foi responsavél pela montagem de laboratórios com diversas técnicas experimentais para o desenvolvimento de vários projetos de pesquisa no Depto de Física da UFSCAR : fotoluminescência, eletroluminescência , transporte, magneto-ótica e magneto-transporte. Foi coordenadora do Programa de Pós-graduação de Física da UFSCAR no período de 2012-2014. É atualmente vice-coordenadora do Programa de Pós-graduação de Física da UFSCAR. Tem experiência na área de Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas de pesquisa: propriedades óticas e magnéto-óticas e de transporte e magneto-transporte , nanoestruturas semicondutoras, materiais 2D, dispositivos semicondutores, valleytrônica e spintrônica.Participou da organização de diversas conferências nacionais e internacionais. Coordenou 3 projetos individuais Fapesp, foi pesquisadora principal de 2 projetos Temáticos Fapesp e coordenou 4 editais Universais do CNPQ. Possui diversas colaborações científicas internacionais. Orientou alunos 16 de iniciação científica, 11 de mestrado e 7 de doutorados resultando em diversas publicações em revistas internacionais. (Texto informado pelo autor)

http://lattes.cnpq.br/7558531056409406 (12/11/2017)

Rótulo/Grupo:

Bolsa CNPq: Nível 2

Período de análise: 2006-2017

Endereço: Universidade Federal de São Carlos, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física. Rodovia Washington Luiz, Km235 Monjolinho 13565905 - São Carlos, SP - Brasil - Caixa-postal: 676 Telefone: (16) 33519716 Fax: (16) 32614835 URL da Homepage: http://www.ufscar.br

Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Área: Física

Citações: Google Acadêmico

Produção bibliográfica

Artigos completos publicados em periódicos (42)
1. NOOR ALHUDA AHMED AL SAQRI ; Aniruddha Mondal ; Jorlandio F Felix ; Galvão Gobato,Y ; Vanessa Orsi Gordo ; Hind Albalawi ; Dler Jameel ; Haifa Alghamdi ; Faisal Al Mashary ; TAYLOR, D. ; EL-SADEK, M. S. A. ; HENINI, Mohamed. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds. v. 698, p. 883-891, issn: 0925-8388, 2017.
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Livros publicados/organizados ou edições (0)
Capítulos de livros publicados (0)
Textos em jornais de notícias/revistas (0)
Trabalhos completos publicados em anais de congressos (0)
Resumos expandidos publicados em anais de congressos (1)
1. RODRIGUES, D. H. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; Duncan K Maude ; BRASIL, M. J. S. P. ; HENINI, Mohamed ; M. Cukr ; V. Novák ; D. Taylor. Spin Polarization Studies in a GaMnAs/AlAs/GaAs/InGaAs resonant tunneling diode. Em: The 2nd Advanced Workshop on Spin and Charge Properties of Low Dimensional Systems, 2011, Brasov ( Romania). The 2nd Advanced Workshop on Spin and Charge Properties of Low Dimensional Systems, 2011.
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Resumos publicados em anais de congressos (43)
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8. M. D. Teodoro ; V. L. Campo Jr ; LOPEZ-RICHARD, V. ; E. Marega, Jr. ; MARQUES, G.e. ; GOBATO, Y. G. ; F.Iikawa ; BRASIL, M.j.s.p. ; Z. Y. AbuWaar ; V. G. Dorogan ; Yu. I. Mazur ; M. Benamara ; G. J. Salamo. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Em: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2010), 2010, Seul. 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010.
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9. GALETI, H. V.a. ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; HENINI, Mohamed ; HILL, G. Time-resolved spin-polarization of electrons in a resonant tunneling structure. Em: The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors, 2010, Toquio. The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors, 2010.
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10. SANTOS, Lf dos ; GOBATO, Y. G. ; Daniel F Cesar ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, Gilmar Eugêncio ; BRASIL, M. J. S. P. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode. Em: The 19th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology (HMF-19), 2010, Fukuoka ( Japan). Proceeding of The 19th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology (HMF-19), 2010.
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11. J. Kunc ; GOBATO, Y. G. ; M.Orlita ; D.H. Rodrigues ; SANTOS, L.f.dos ; HENINI, Mohamed ; M. Cukr ; V. Novák ; D. Taylor. Spin Polarization in p-i-n GaAs/AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes with p-type GaMnAs contact under high magnetic field. Em: 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009, Cracow. 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009.
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12. H.V.A Galeti ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, Mjsp ; HENINI, Mohamed ; HILL, G. Spin-Polarization Dynamics of Tunneling Electrons. Em: 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009, Cracow. 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009.
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13. SANTOS, L.f.dos ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M.j.s.p. ; LOPEZ, Victor Richar ; MARQUES, G.e. ; HENINI, Mohamed ; G.Hill. Light Controlled Spin-Polarization in Asymmetric n-type GaAs/GaAlAs Resonant Tunneling Diodes. Em: 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009, Cracow. 5th International School and Conference on Spintronis and Quantum Information Technology, 2009.
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14. J. Kunc ; M. Orlita ; GOBATO, Y. G. ; SANTOS, L.f.dos ; D.H. Rodrigues ; HENINI, Mohamed ; M. Cukr ; V. Novák ; D.Taylor. Spin E®ects in p-i-n GaAs/AlAs/InGaAs devices with p-type GaMnAs contact. Em: 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009, Curitba. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009.
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15. M. D. Teodoro ; G. E. Marques ; V. Lopez-Richard ; V. L. Campo Jr ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; F. Iikawa ; E. Marega, Jr. ; G. J. Salamo. Electron - hole spatial correlation of excitonic complexes in quantum rings. Em: 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009, Curitba. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009.
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16. F. O. F. Bergamask ; A. Ortiz De Zevallos ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, Mjsp ; PEREIRA, Ec. Time-resolved emission from Poly(3-ThiopheneAcetic Acid) and Poly(Vinyl Alcohol) blends. Em: 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009, Curitba. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009.
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17. GALETI, H.v.a. ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, Mjsp ; HENINI, M ; HILL, G. TIME-RESOLVED MAGNETO-LUMINESCENCE FROM A RESONANT TUNNELING DIODE. Em: 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009, Curitba. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009.
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18. GALETI, H. V.a. ; BRASIL, M. J. P. ; CARVALHI, Hugo Bonette de ; GOBATO, Y. G. ; P.A Schulz ; HENINI, Mohamed ; HILL, G. ANOMALOUS DYNAMICS OF CARRIERS IN P-TYPE RESONANT TUNNELING DIODES. Em: The International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio do Janeiro. The International Conference on the Physics of Semiconductors, v. 1, 2008.
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19. SANTOS, L.f. dos ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; V. Lopez-Richard ; BRASIL, Mjsp ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Light Controlled Spin Polarization in a Resonant Tunneling. Em: The International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008, Rio de Janeiro. The International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008.
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20. D. H. Rodrigues ; A.T. Bezerra ; GOBATO, Y. G. ; RICHARD, V Lopez ; D.F. Cesar ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; BRASIL, Mjsp ; HENINI, Mohamed ; V. Novák ; M. Cukr. Polarization-Resolved Emission from AlAs/GaAs/GaMnAs Heterostructures. Em: 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V, 2008, Foz do Iguaçu. 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V, 2008.
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22. SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; D.F. Cesar ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; V. Lopez-Richard ; R.J.Airy ; J. Kunc ; M.Orlita ; HENINI, Mohamed. Spin effects in a stepped n-type GaAs/AlGaAs/AlAs resonant tunneling diode. Em: 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V, 2008, Foz do Iguaçu. 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V, 2008.
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23. GALETI, H. V.a. ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZ-RICHARD, V. ; MARQUES, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; CARVALHO, H.b. de ; SCHULZ, P. A. ; HENINI, M ; HILL, G.. Estudo da dinâmica de elétrons fotogerados em diodos de tunelamento ressonante. Em: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Aguas de Lindoia. XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008.
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24. SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; HENINI, M. ; R. Airey. Polarização de Spin controlada por luz em diodos de tunelamento ressonante não magnéticos. Em: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Aguas de Lindóia. XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008.
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26. CARVALHO, H.b. de ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; GALETI, Helder Vinicios Avanço ; SANTOS, Lara Fernades dos ; MARQUES, G. E. ; HENINI, M. ; HILL, G. Evidence of spin polarized two-dimensional electron gas in p-i-n resonant tunneling diodes. Em: Fourth International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), 2007, Maui (Hawaii). Fourth International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV) (Abstract Book), 2007.
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27. CARVALHI, Hugo Bonette de ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugêncio ; GALETI, Helder Vinicius A. ; HENINI, M. ; HILL, G.. Spin polarized electron gas in p-i-n resonant tunneling diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. Proceedings 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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28. CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; HILL, G.. Hole Spin polarization in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. Proceedings of 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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29. GALETI, Helder Vinicius A. ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, Hugo B. de ; HENINI, M. ; HILL, G.. Time-resolved photoluminescence studies in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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30. SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Circular polarization in asymmetric n-type resonant tunneling diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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31. RODRIGUES, D. H. ; Danny Pilar ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, M ; M. Optical studies in GaMnAs quantum wells. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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32. CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; SANTOS, L. ; GALETI, H. ; RICHARD, Victor Lopez ; CAMPS, I. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Hole Spin Polarization in symmetric and asymmetric p-type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. Em: 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006, Viena. 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006.
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33. CARVALHOA, H.b. de ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M.j.s.p. ; GALETI, H. V.a. ; SANTOS, L.f. dos ; MARQUES, G.e. ; HENINI, M. ; L.EAVES ; HILL, G.. Spin-dependent Tunneling in Asymmetric Resonant Tunneling Diodes. Em: 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006, Wurzburg, 2006.
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34. GOBATO, Y. Galvão ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, H. B. de ; BRASIL, M. J. S. P. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Bias tuned spin-splitting in resonant tunneling devices. Em: 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006, Wurzburg. 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006.
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35. CARVALHO, H.b. de ; GALETI, Helder V.a. ; SANTOS, L.f. dos ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M.j.s.p. ; MARQUES, G.e. ; HENINI, M. ; L.EAVES ; HILL, G.. Spin Polarization in Asymmetric p-type Resonant Tunneling Diodes. Em: XXIX ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2006, São Lourenço, 2006.
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36. SANTOS, L.f. dos ; GALETI, Helder V.a. ; CARVALHO, H.b. de ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M.j.s.p. ; MARQUES, G.e. ; L.EAVES ; HILL, G.. Spin Effects in Asymmetric n-type GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Diodes. Em: XXIX ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2006, São Lourenço, 2006.
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37. CARVALHO, Hugo B. de ; BRASIL, Maria J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; GALETI, H.v.a. ; SANTOS, L.f.dos ; MARQUES, Gilmar E. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Evidence of Spin-polarized Current through a p-i-n GaAs/AlAs Ressonant Tunneling Device. Em: XXIX ENCONTRO NACIONAL DE FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, 2006, São Lourenço, 2006.
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38. CARVALHO, Hugo B. de ; BRASIL, Maria J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; GALETI, H.v.a. ; SANTOS, L.f.dos ; MARQUES, Ge ; HENINI, M ; EAVES, L ; HILL, G. Evidence of Hole Spin-polarized Current through a non-magnetic Ressonant Tunneling Diode. Em: 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006, Viena, 2006.
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39. BERGAMASKI, Franciele Of ; GOBATO, Y. G. ; PEREIRA, Ernesto C. Photoluminescence Intensity Enhancement in Poly(3-Thiopheneacetic Films Induced by Laser. Em: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat), 2006, Florianópolis, 2006.
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40. CARVALHO, Hugo de ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZRICHARD, Victor ; BRASIL, Maria José Santos Pompeu ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; HENINI, Mohamed ; EAVES, Laurence ; HILL, G. Electric field induced inversion asymmetry on resonant tunneling devices: spin-effcts. Em: At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006, Buenos Aires. At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006.
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41. BEZERRA, Anibal ; GOBATO, Y. G. ; SANTOS, Ednilso C ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; GALETI, Helder. Estudo de Complexos Excitonicos em Heteroestruturas Semicondutoras de Tunelamento Ressonante do tipo p-i-n. Em: XIV Congresso de Iniciação Científica, 2006, São Carlos, 2006.
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42. SANTOS, Ednilson C ; GOBATO, Y. G. ; BEZERRA, Anibal T ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; GALETI, Helder. Efeito Tunel Ressonante em Heteroestruturas Semicondutoras de Dupla Barreira com Pontos Quânticos. Em: XIV Congresso de Iniciação Científica, 2006, São Carlos, 2006.
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43. GOBATO, Y. G. Caracterização Elétrica e Ótica de Diodos de Tunelamneto Ressonante Com Barreiras Assimétricas para Aplicação como Filtros de Spin. Em: XIV Congresso de Iniciação Científica, 2006, São Carlos, 2006.
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Artigos aceitos para publicação (0)
Apresentações de trabalho (10)
1. GALVÃO GOBATO, Y. III-Bi-V layers and nanostructures. The case study of GaBiAs (INVITED for the Workshop on 2D and layered materials: from honeycomb sheets to nanocomposites)). 2017. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
2. GALVÃO GOBATO, Y. Optical and Magneto-Optical properties of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides ( invited speaker 2D Materials- Energy Materials Nanotechnology (EMN) Europe Meetings 2017). 2017. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
3. GALVÃO GOBATO, Y. OPTICAL AND SPIN PROPERTIES OF NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIALS (INVITED ENFMC-Natal). 2016. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
4. Galvão Gobato,Y. Spin injection in resonant tunneling diodes (INVITED TALK)-ICTP-SAIFR Workshop on NanoPhysics and Spintronics). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
5. GALVÃO GOBATO, Y. Magneto-Optical properties of GaBiAs and InGaAsN materials (INVITED TALK-ENFMC). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
6. GALVÃO GOBATO, Y. Optical and Magneto-Optical Properties of Seminconductor Nanostructures and Nanodevices (INVITED TALK) (XIV Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica-SBF). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
7. GOBATO, Y. G. Spin Effects in Semiconductor Nanostructures (INVITED TALK -VII Encontro Regional da Sociedade Brasileira de Física). 2010. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
8. GOBATO, Y. G. Spin Effects in resonant tunneling diodes (INVITED TALK)-II Oficina de Ouro Preto de Fenômenos Relacionados ao Spin. 2009. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
9. GOBATO, Y. G. Spin polarization in resonant tunneling diodes ( INVITED TALK-International Conference on Superlattice, Nanostructure and Nanodevices - ICSNN-2008). 2008. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
10. GOBATO, Y. G. Spin Effects in Resonant Tunneling Diodes (INVITED TALK-13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-13)). 2007. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
Demais tipos de produção bibliográfica (3)
1. JC Egues ; Guilherme Sipahi ; GOBATO, Y. G. ; Gerson J. Ferreira. Proceedings of the PASPS V Conference Held in August 2008 in Foz do Iguaçu. 2010. Proceedings of international conference
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2. GOBATO, Y. G.; SANTOS, Lara Fernandes dos ; J. Kunc ; M.Orlita ; HENINI, Mohamed. Spin effects in a n-type GaAs/GaAlAs resonant tunneling diode. 2009. Annual report 2009, Laboratoire des Champs Magnétiques Intenses, CNRS,GHMFL
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3. GOBATO, Y. G.; SANTOS, Lara Fernades dos ; J. Kunc ; M.Orlita ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed. Spin polarization in a stepped n-type resonant tunneling diode. Grenoble. 2008. Annual report 2008, Laboratoire des Champs Magnétiques Intenses, CNRS,GHMFL
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Produção técnica

Programas de computador com registro de patente (0)
Programas de computador sem registro de patente (0)
Produtos tecnológicos (0)
Processos ou técnicas (0)
Trabalhos técnicos (0)
Demais tipos de produção técnica (0)

Produção artística

Total de produção artística (0)

Orientações em andamento

Supervisão de pós-doutorado (0)
Tese de doutorado (4)
1. Gabriela Prando. Preparação e Caracterização de semicondutores bidimensionais baseados em metais de transição dicalgonenados. Tese (Doutorado em Doutoramento em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Início: 2016.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
2. Felipe Soares Covre. Propriedades óticas e magneto-opticas de semicondutores bidimensionais (2D). Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Início: 2016.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
3. Marcelo Rizzo Piton. Propriedades óticas e de transporte de nanofios semicondutores para aplicações em celulas solares. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Início: 2015.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
4. Eduard Enrique Carvajal Taborda. Propriedades óticas e coordenação local de centros paramagnéticos em vidros e vitro-cerâmicas por Ressonância Paramagnética Eletrônica. Co-orientador : José Pedro Donoso Gonzalez. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Início: 2015.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
Dissertação de mestrado (0)
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (1)
1. Camila Cavalini. Propriedades Óticas de Semicondutores Bidimensionais. Iniciação científica (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Início: 2017.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
Orientações de outra natureza (0)

Supervisões e orientações concluídas

Supervisão de pós-doutorado (4)
1. Miguel Ángel Gonzáles Balanta. Propriedades òticas de nanoestruturas semicondutoras. Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2014.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
2. Bruno Henrique dos Santos. . Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
3. Helder Vinícius Avanço Galeti. . Universidade Federal de São Carlos, Fapesp. 2012.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
4. Rogerio Lucio de Almeida. Polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante. Universidade Federal de São Carlos, . 2011.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
Tese de doutorado (6)

Vanessa Orsi Gordo. Efeitos de Spin em Heteroestruturas Semicondutoras. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Iram Taj Awan. Optical and Transport Properties of p-i-n GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2010.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Lara Fernandes dos Santos. Polarização de Spin em Diodos de Tunelamento Ressonante. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Helder Vinícius Avanço Galeti. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo p. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Franciele de Oliveira Freitas Bergamaski. Preparação e Caracterização das propriedades óticas de belndas de poli-(3-acidotiofenoácetico) com diacetato de celulose. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2007.
Supervisor: Yara Galvão Gobato.
Daniel Henrique Rodrigues. Propriedades óticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2006.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Dissertação de mestrado (9)

Gabriela Prando. Propriedades Òticas e Magneto Òticas de nanoestruturas de GaBiAs crescidas no plano (311)B. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2016.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Mariana Victória Ballottin. Caracaterização das propriedades Òticas e de Spin de Poços Quânticos de InGaAsN/GaAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Polyanna Bruna Alves de Oliveira. Estudo das propriedades óticas e magnéto-ópticas de filmes GaPN. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2014.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Anne Rose Hermanson Carvalho. Propriedades Óticas de nanoestruturas semicondutoras. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Leonilson Kiyoshi Sato de Herval. Propriedades Magnéto-Ópticas e de Magneto-Transporte de um Diodo de Tunelamento Ressonante contendo Si delta doping no Poço Quântico. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Jaldair Araújo e Nóbrega. Magneto Luminescência em Diodos de Tunelamenti Ressonante contendo Pontos Quânticos de InAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Anibal Thiago Bezerra. Estudo da polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Ednilson Carlos dos Santos. Estudo de efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante contendo dots de InAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Danny Pilar Araucano Holgado. Caracterização de Poços Quânticos de GaMnAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (8)

Debora Ramos Romagnolo. Propriedades ópticas de materiais semicondutores III-Bi/N-V utilizando espectroscopia de fotoluminescência. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2016.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Gabriel Brasil Brião de Oliveira. Espectroscopia de fotoreflectância aplicada à caracterização óptica de materiais semicondutores III-Bi/N-V. Iniciação Científica - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Mark Hoffmann. Propriedade óticas de filmes de GaAsN. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Jonas Caetano. Propriedades óticas de filmes de GaBiAs. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Marco Aurélio de Menezes Franco. Caracterização ótica e elétrica de heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Douglas D´Assunção. Caracterização ótica de poços quanticos de GaMnAs. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Ednilson Carlos dos Santos. Efeito Tunel Ressonante de Buracos em heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Guilherme Augusto Duarte. Efeito do Acumulo de Carga em diodos de tunelamento ressonante. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2006.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Orientações de outra natureza (0)

Projetos de pesquisa

Total de projetos de pesquisa (11)

2016-Atual. Propriedades oticas, magneto-oticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transicao dicalcogenados
Descrição: Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de "chemical vapor deposition"(CVD) em diversas colaborações internacionais. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Fernado Iikawa - Integrante / Helder Galeti - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Odilon Divino Damasceno Couto - Integrante / Ariano D. Rodrigues - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de "chemical vapor deposition"(CVD) em diversas colaborações internacionais.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (2) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Fernando Iikawa - Integrante / Odilon Divino Damasceno Couto - Integrante / Ariano D. Rodrigues - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
2015-Atual. POTENBi - Propriedades Opticas de de Transporte em nanoestruturas III-N/Bi-V para aplicacoes fotovoltaicas - Projeto Pesquisador visitante Especial (PVE) / PROGRAMA CIENCIA SEM FRONTEIRAS - Chamada 09/2014 - Capes 88881.068192/2014-01
Descrição: Neste projeto de pesquisa serão investigadas as propriedades ópticas, magneto-óticas e o transporte eletrônico em nanoestruturas semicondutoras III-N/Bi-V, com vistas a sua aplicação em sistemas fotovoltaicos de alta eficiência. As investigações dessas propriedades vão em direção ao desenvolvimento de uma classe emergente de novos materiais que procuram utilizar o espectro solar na conversão de energia fotovoltaica de forma mais abrangente e eficiente. Em particular, o coordenador técnico pretende desenvolver pesquisas em parceria com o bolsista PVE deste projeto, o Dr. Mircea Guina, tanto no Centro de Pesquisa em Optoeletrônica (ORC) da Tampere University of Technology (Finlândia) quanto nos laboratórios de pesquisa do Departamento de Física e de Engenharia Elétrica da UFSCar, no campus de São Carlos, através de visitas científicas dos integrantes da equipe. Deseja-se inserir a formação de estudantes de pós-graduação e a produção de conhecimento técnico-científico no contexto deste trabalho, através do contato estreito e direto com uma liderança internacionalmente reconhecida na área de tecnologias semicondutoras. Serão avaliadas, de forma sistemática, as propriedades físicas de diversas nanoestruturadas semicondutoras construídas a partir de ligas de materiais III-N/Bi-V, preparadas pela equipe do Dr. Mircea Guina. Para a caracterização das propriedades físicas serão utilizadas técnicas ópticas e magneto-opticas (PL, magneto-PL, transmissão e absorção UV-Vis-IR), além de técnicas de transporte e magneto-transporte (fotocorrente, corrente-tensão DC (I-V), capacitância-tensão (C-V), capacitância-frequencia (C-f), deep-level transient spectroscopy (DLTS)). As propriedades ópticas e magneto-ópticas serão investigadas utilizando a infraestrutura de pesquisa instalada na UFSCar. Além de possibilitar o estudos e a caracterização de propriedades físicas em materiais fotovoltaicos emergentes, a formação de pessoal capacitado para atuar em áreas tecnológicas avançadas é um ponto importante deste projeto. Por fim, vale ressaltar que a adaptação e melhoria das propriedades e performances de células solares é um ponto de interesse estratégico para o país, a fim de aumentar a inovação tecnológica, a competitividade industrial e o desenvolvimento sustentável no campo das energias limpas.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Marcio P. F. De Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante / Giuseppe Antonio Cirino - Integrante / LUIS ALBERTO MIJAM BAREA - Integrante / Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Neste projeto de pesquisa serão investigadas as propriedades ópticas, magneto-óticas e o transporte eletrônico em nanoestruturas semicondutoras III-N/Bi-V, com vistas a sua aplicação em sistemas fotovoltaicos de alta eficiência. As investigações dessas propriedades vão em direção ao desenvolvimento de uma classe emergente de novos materiais que procuram utilizar o espectro solar na conversão de energia fotovoltaica de forma mais abrangente e eficiente. Em particular, o coordenador técnico pretende desenvolver pesquisas em parceria com o bolsista PVE deste projeto, o Dr. Mircea Guina, tanto no Centro de Pesquisa em Optoeletrônica (ORC) da Tampere University of Technology (Finlândia) quanto nos laboratórios de pesquisa do Departamento de Física e de Engenharia Elétrica da UFSCar, no campus de São Carlos, através de visitas científicas dos integrantes da equipe. Deseja-se inserir a formação de estudantes de pós-graduação e a produção de conhecimento técnico-científico no contexto deste trabalho, através do contato estreito e direto com uma liderança internacionalmente reconhecida na área de tecnologias semicondutoras. Serão avaliadas, de forma sistemática, as propriedades físicas de diversas nanoestruturadas semicondutoras construídas a partir de ligas de materiais III-N/Bi-V, preparadas pela equipe do Dr. Mircea Guina. Para a caracterização das propriedades físicas serão utilizadas técnicas ópticas e magneto-opticas (PL, magneto-PL, transmissão e absorção UV-Vis-IR), além de técnicas de transporte e magneto-transporte (fotocorrente, corrente-tensão DC (I-V), capacitância-tensão (C-V), capacitância-frequencia (C-f), deep-level transient spectroscopy (DLTS)). As propriedades ópticas e magneto-ópticas serão investigadas utilizando a infraestrutura de pesquisa instalada na UFSCar. Além de possibilitar o estudos e a caracterização de propriedades físicas em materiais fotovoltaicos emergentes, a formação de pessoal capacitado para atuar em áreas tecnológicas avançadas é um ponto importante deste projeto. Por fim, vale ressaltar que a adaptação e melhoria das propriedades e performances de células solares é um ponto de interesse estratégico para o país, a fim de aumentar a inovação tecnológica, a competitividade industrial e o desenvolvimento sustentável no campo das energias limpas... Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . Integrantes: Luis Alberto Mijam Barea - Integrante / Helder Vinícius Avanço Galeti - Coordenador / Yara Galvão Gobato - Integrante / Marcio P. F. Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Luis Alberto Mijam Barea.
Descrição: Neste projeto de pesquisa serão investigadas as propriedades ópticas, magneto-óticas e o transporte eletrônico em nanoestruturas semicondutoras III-N/Bi-V, com vistas a sua aplicação em sistemas fotovoltaicos de alta eficiência. As investigações dessas propriedades vão em direção ao desenvolvimento de uma classe emergente de novos materiais que procuram utilizar o espectro solar na conversão de energia fotovoltaica de forma mais abrangente e eficiente. Em particular, o coordenador técnico pretende desenvolver pesquisas em parceria com o bolsista PVE deste projeto, o Dr. Mircea Guina, tanto no Centro de Pesquisa em Optoeletrônica (ORC) da Tampere University of Technology (Finlândia) quanto nos laboratórios de pesquisa do Departamento de Física e de Engenharia Elétrica da UFSCar, no campus de São Carlos, através de visitas científicas dos integrantes da equipe. Deseja-se inserir a formação de estudantes de pós-graduação e a produção de conhecimento técnico-científico no contexto deste trabalho, através do contato estreito e direto com uma liderança internacionalmente reconhecida na área de tecnologias semicondutoras. Serão avaliadas, de forma sistemática, as propriedades físicas de diversas nanoestruturadas semicondutoras construídas a partir de ligas de materiais III-N/Bi-V, preparadas pela equipe do Dr. Mircea Guina. Para a caracterização das propriedades físicas serão utilizadas técnicas ópticas e magneto-opticas (PL, magneto-PL, transmissão e absorção UV-Vis-IR), além de técnicas de transporte e magneto-transporte (fotocorrente, corrente-tensão DC (I-V), capacitância-tensão (C-V), capacitância-frequencia (C-f), deep-level transient spectroscopy (DLTS)). As propriedades ópticas e magneto-ópticas serão investigadas utilizando a infraestrutura de pesquisa instalada na UFSCar. Além de possibilitar o estudos e a caracterização de propriedades físicas em materiais fotovoltaicos emergentes, a formação de pessoal capacitado para atuar em áreas tecnológicas avançadas é um ponto importante deste projeto. Por fim, vale ressaltar que a adaptação e melhoria das propriedades e performances de células solares é um ponto de interesse estratégico para o país, a fim de aumentar a inovação tecnológica, a competitividade industrial e o desenvolvimento sustentável no campo das energias limpas.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Coordenador / Yara Galvão Gobato - Integrante / Marcio P. F. Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante / Giuseppe Antonio Cirino - Integrante / LUIS ALBERTO MIJAM BAREA - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (2) . Integrantes: Edivaldo Lopes dos Santos - Integrante / Thiago Melo - Coordenador / Marek Golasinski - Integrante / Gustavo Cazzeri Innocencio Figueiredo - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Edivaldo Lopes dos Santos.
2014-Atual. Investigacao de propriedades oticas e eletricas de novos materiais semicondutores para aplicacoes no infravermelho (Edital Universal-CNPQ)
Descrição: Esse projeto tem como objetivo realizar o estudo sistemático das propriedades óticas, magnetoópticas, de transporte e magneto-transporte em nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais semicondutores de baixo ?gap? de energia (da ordem de 1 eV) para aplicações em células solares mais eficientes e lasers de poço quântico na região de infravermelho e também para possíveis aplicações em spintrônica. Para isso, contamos com diversas colaborações internacionais tais como:Prof. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) e Prof Robert Kudrawiec do Institute of Physics, Wroclaw University of Technology (Polônia), Prof Mircea Guina do Optoeletronic Research Center-Tampere University of Technology, Prof Charles Cornet do FOTON-OHM Laboratory- Institut National des Sciences Appliquées de Rennes (INSA) Pretendemos estudar diversos sistemas tais comonanoestruturas contendo novos materiais e nanoestruturas semicondutores baseadas em GaBiAs, GaNAsBi, GaAsN, InGaAsN , GaPN, InGaPN, GaAsPN e GaPNSb crescidos em diferentes orientaçõescristalinas. De forma geral, pretendemos investigar: efeitos de localização e de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs , GaAs/ GaNAsBi, e filmes de GaNP/GaP, GaAsP/GaP, GaPNSb/GaP e etc, efeitos de interação spin-órbita, a dependência do fator-g de Landé com o confinamento quântico e com a orientação do campo magnético, a polarização de spin de elétrons e de buracos nesses novos sistemas e etc. Pretendemos explorar esses assuntos tanto do ponto de vista de Física Fundamental como do ponto de Física de Física Aplicada, visando a possível otimização dos dispositivos semicondutores para possíveis aplicações, tais como filtros de spin, célulassolares convencionais e células solares de spin e lasers no infravermelho.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Helder Vinicius A. Galeti - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Marcelo Rizzo Piton - Integrante / Gabriela Prando - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnologico - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Esse projeto tem como objetivo realizar o estudo sistemático das propriedades óticas, magnetoópticas, de transporte e magneto-transporte em nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais semicondutores de baixo ?gap? de energia (da ordem de 1 eV) para aplicações em células solares mais eficientes e lasers de poço quântico na região de infravermelho e também para possíveis aplicações em spintrônica. Para isso, contamos com diversas colaborações internacionais tais como:Prof. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) e Prof Robert Kudrawiec do Institute of Physics, Wroclaw University of Technology (Polônia), Prof Mircea Guina do Optoeletronic Research Center-Tampere University of Technology, Prof Charles Cornet do FOTON-OHM Laboratory- Institut National des Sciences Appliquées de Rennes (INSA) Pretendemos estudar diversos sistemas tais comonanoestruturas contendo novos materiais e nanoestruturas semicondutores baseadas em GaBiAs, GaNAsBi, GaAsN, InGaAsN , GaPN, InGaPN, GaAsPN e GaPNSb crescidos em diferentes orientaçõescristalinas. De forma geral, pretendemos investigar: efeitos de localização e de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs , GaAs/ GaNAsBi, e filmes de GaNP/GaP, GaAsP/GaP, GaPNSb/GaP e etc, efeitos de interação spin-órbita, a dependência do fator-g de Landé com o confinamento quântico e com a orientação do campo magnético, a polarização de spin de elétrons e de buracos nesses novos sistemas e etc. Pretendemos explorar esses assuntos tanto do ponto de vista de Física Fundamental como do ponto de Física de Física Aplicada, visando a possível otimização dos dispositivos semicondutores para possíveis aplicações, tais como filtros de spin, célulassolares convencionais e células solares de spin e lasers no infravermelho.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Marcelo Rizzo Piton - Integrante / Gabriel Prando - Integrante.
Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
2013-2016. Propriedades oticas, eletricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores -FAPESP Proc: 12/24055-6
Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Helder V.A. Galeti - Integrante / M. P. F. de Godoy - Integrante / Mohamed Henini - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (3) . Integrantes: Marcio Peron Franco de Godoy - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Helder V.A. Galeti - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Outra.
Membro: Marcio Peron Franco de Godoy.
Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Marcio P. F. Godoy - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
2013-2016. Electrical and Optical properties of Semiconductor and Hybrid Semiconductor/Organic Nanostructures and Nanodevices - Projeto Ciencias sem Fronteiras- Capes A067/2013
Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / H. V.A. Galeti - Integrante / M. P. F. de Godoy - Integrante / Mohamed Henini - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Marcio Peron Franco de Godoy - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Helder V.A. Galeti - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Cooperação.
Membro: Marcio Peron Franco de Godoy.
Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Helder Vinícius Avanço Galeti - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Marcio P. F. Godoy - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Helder Vinicius Avanco Galeti.
2013-Atual. Quantum transport and magneto-optical phenomena in hybrid magnetic semiconductor/topological insulator heterostructures- Projeto Ciencias sem Fronteiras -Pesquisador visitante especial
Descrição: In this project, we plan to carry out measurements of quantum transport and magneto-optical phenomena in epitaxial heterostructures of 3D topological insulators such as Bi2Se3. In particular, we are interested in exploring the novel physics that emerges when these materials are interfaced with ferromagnetism . We will focus on studying ?hybrid? topological insulator/ferromagnetic semiconductor heterostructure devices with the intent of creating novel opportunities for ?magnetically gated? semiconductor spintronic devices that exploit the inherently spin-polarized nature of electron transport in topological insulator surface states.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Helder Vinicius Avanço Galeti - Integrante / Marcio Peron Franco de Godoy - Coordenador / Nitin Samarth - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2010-2012. Estudo das propriedades oticas e magneto-oticas de nanoestruturas semicondutoras- Ed. Universal CNPQ
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Gilmar Eugênio Marques - Integrante / Victor Lopez-Richard - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2008-2012. Rede Nacional de Nanobiotecnologia Aplicada a Medicina e a Defesa- Edital 04/2008-CAPES
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Fernando M. Araújo-Moreira - Coordenador. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2008-2010. Estudo de efeitos de spin em nanoestruturas semicondutoras (CNPq -Edital Universal) Valor: R$35.760,00
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2007-2012. Fenomenos de spin e suas implicacoes nas propriedades eletronicas, opticas e de transporte de sistemas de portadores confinados estendidos. Projeto Tematico Fapesp Proc:06/05765-1. Coordenador: Prof. Gilmar Eugenio Marques
Descrição: Nesse projeto atuei como pesquisadora principal no estudo de propriedades de spin de nanoestruturas semicondutoras. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Gilmar Eugenio Marques - Coordenador / Maria José Santos P Brasil - Integrante / José Carlos Rossi - Integrante / Victor Lopez Richard - Integrante / Guilherme Matos Sipahi - Integrante / Fernando Iikawa - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.Número de orientações: 3
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Implantação do Laboratório de Magneto Transporte do DF/UFSCar. Magneto supercondutor de 17 Teslas, ótica associada. Estudo de sistemas de spin em nano estruturas.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (2) . Integrantes: Jose Carlos Rossi - Integrante / Yara Galvão Gobato - Integrante / Gilmar Eugenio Marques - Coordenador / Maria José Santos P Brasil - Integrante / Victor Lopez Richard - Integrante / Guilherme Matos Sipahi - Integrante / Fernando Iikawa - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Outra.
Membro: Jose Carlos Rossi.
2006-2008. Espectroscopia Magneto otica em Heteroestruturas Semicondutoras Contendo GaMnAs (Projeto Individual Fapesp Proc: 2006/04872-9)
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.Número de orientações: 1
Membro: Yara Galvao Gobato.

Prêmios e títulos

Total de prêmios e títulos (1)

The Best Paper Award - 29th SBMICRO (Symposium on Microelectronics Technology and Devices), 1-5/set/2014, Aracaju-SE, Sociedade Brasileira de Microeletrônica., Sociedade Brasileira de Microeletrônica... 2014.
Membro: Yara Galvão Gobato.

Participação em eventos

Total de participação em eventos (1)

67 Reunião Anual da SBPC.performance nem piano na abertura da SBPC . Repertório: "Luz" de Edmundo Villani Cortes. 2015. (Outra).

Organização de eventos

Total de organização de eventos (9)

Luis Gregório Dias da Silva ; Felix Hernandez ; Caetano Miranda ; GALVÃO GOBATO, Y.. 18th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-2017-comitê nacional) ( http://bwsp18.if.usp.br/?q=node/246)). 2017. Congresso
GALVÃO GOBATO, Y.; Maria José Bell ; Thereza Cristina Lacerda de Paiva. Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (ENFMC-membro de comitê de programa). 2017. Congresso
Hernández-Calderón, Isaac ; HENINI, M. ; GALVÃO GOBATO, Y.. 8th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices ( comitê de programa-http://ldsd.cinvestav.mx/). 2016. Congresso
SIPAHI, G. M. ; Galvao Gobato, Yara ; Lopez-Richard, Victor. 16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2013. Congresso
Virgílio de Carvalho dos Anjos ; GOBATO, Y. G. ; JC Egues ; BRASIL, M. J. S. P. ; SOUZA, P. L. ; Edilson Sérgio Silveira ; Eronides Felisberto da Silva Jr. ; Henri Ivanov Boudinov ; Tomé mauro Schmidt ; Sebastião William da Silva ; Gil de Aquino Farias ; Evaldo Ribeiro ; PSS Guimarães ; Ivan Costa da Cunha Lima ; Jaime A. Freitas ; Sara Cristina Pinto Rodrigues. 15th Brazilian Worshop on Semiconductor Physics. 2011. Congresso
JC Egues ; GM Sipahi ; BRASIL, Maria J. S. P. ; PEREIRA, Ernesto C ; OLIVEIRA, Adilson Jesus de ; Dante H. Mosca ; Esmerindo Bernardes ; Edson Vernek ; GOBATO, Y. G.. Latin American symposium on solid state physics -- SLAFES XX. 2011. 2011. Congresso
JC Egues ; GOBATO, Y. G. ; Adilson J. A. de Oliveira ; Guilherme M. Sipahi ; Esmerindo Bernardes. 1st São Paulo School of Advanced Science: Spintronics and Quantum Computation in São Carlos. 2010. Congresso
JC Egues ; GOBATO, Y. G. ; IC LIma ; Esmerindo Bernardes ; Dante H. Mosca ; Fanyao Qu ; Guilherme M. Sipahi ; Fernando Machado. 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V. 2008. Congresso
GOBATO, Y. G.; SCHULZ, P. A. ; FRATESCH, N. ; AJR da Silva ; R.Capez. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics ( Programme Committee BWSP 14). 2008. Congresso

Lista de colaborações

Colaborações endôgenas (10)

Yara Galvão Gobato ⇔ Victor Lopez Richard (10.0)
GALETI, Helder Vinicios Avanço ; GOBATO, Y. G. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; BRASIL, M. J. S. P. ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; D.K. Maude ; HENINI, M. ; R.J.Airy. Magneto-optical investigation of two-dimensional gases in n-type resonant tunneling diodes. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 27, p. 015018, issn: 0268-1242, 2012.
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dos Santos, Lara F ; Galvao Gobato, Yara ; Teodoro, Marcio D ; Lopez-Richard, Victor ; Marques, Gilmar E ; Brasil, Maria JSP ; Orlita, Milan ; Kunc, Jan ; Maude, Duncan K ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device. Nanoscale Research Letters (Online). v. 6, p. 101, issn: 1931-7573, 2011.
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Galva o Gobato, Y. ; Galeti, H. V. A. ; dos Santos, L. F. ; Lopez-Richard, Victor ; Cesar, D. F. ; Marques, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Orlita, M. ; Kunc, J. ; Maude, D. K. ; HENINI, M. ; Airey, R. J.. Spin Injection from two dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 99, p. 233507-1-233507-4, issn: 0003-6951, 2011.
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Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
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GALETI, H.v.a. ; BONETTE, Hugo ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZ-RICHARD, V. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed ; HILL, G.. Role of X valley on the dynamics of electron transport through a GaAs/AlAs double-barrier structure. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. v. 78, p. 165309-165315, issn: 1098-0121, 2008.
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GALETI, Helder Vinicius A. ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, Hugo B. de ; HENINI, M. ; HILL, G.. Time-resolved photoluminescence studies in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; HILL, G.. Hole Spin polarization in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. Proceedings of 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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CARVALHO, Hugo de ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZRICHARD, Victor ; BRASIL, Maria José Santos Pompeu ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; HENINI, Mohamed ; EAVES, Laurence ; HILL, G. Electric field induced inversion asymmetry on resonant tunneling devices: spin-effcts. Em: At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006, Buenos Aires. At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006.
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GOBATO, Y. Galvão ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, H. B. de ; BRASIL, M. J. S. P. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Bias tuned spin-splitting in resonant tunneling devices. Em: 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006, Wurzburg. 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006.
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CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; SANTOS, L. ; GALETI, H. ; RICHARD, Victor Lopez ; CAMPS, I. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Hole Spin Polarization in symmetric and asymmetric p-type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. Em: 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006, Viena. 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Gilmar Eugenio Marques (9.0)
GALETI, Helder Vinicios Avanço ; GOBATO, Y. G. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; BRASIL, M. J. S. P. ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; D.K. Maude ; HENINI, M. ; R.J.Airy. Magneto-optical investigation of two-dimensional gases in n-type resonant tunneling diodes. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 27, p. 015018, issn: 0268-1242, 2012.
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RODRIGUES, D. H. ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; Danny Pilar ; MARQUES, G. E. ; HENINI, M.. Anomalous optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 45, p. 215301, issn: 0022-3727, 2012.
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ORSI GORDO, VANESSA ; HERVAL, LEONILSON KS ; GALETI, HELDER VA ; GOBATO, YARA ; Brasil, Maria JSP ; Marques, Gilmar E ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Spin injection in n-type resonant tunneling diodes. Nanoscale Research Letters (Online). v. 7, p. 592, issn: 1931-7573, 2012.
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dos Santos, Lara F ; Galvao Gobato, Yara ; Teodoro, Marcio D ; Lopez-Richard, Victor ; Marques, Gilmar E ; Brasil, Maria JSP ; Orlita, Milan ; Kunc, Jan ; Maude, Duncan K ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device. Nanoscale Research Letters (Online). v. 6, p. 101, issn: 1931-7573, 2011.
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Galva o Gobato, Y. ; Galeti, H. V. A. ; dos Santos, L. F. ; Lopez-Richard, Victor ; Cesar, D. F. ; Marques, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Orlita, M. ; Kunc, J. ; Maude, D. K. ; HENINI, M. ; Airey, R. J.. Spin Injection from two dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 99, p. 233507-1-233507-4, issn: 0003-6951, 2011.
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Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
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SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, Gilmar Eugêncio ; BRASIL, Maria José Santos Pompeu ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Polarization resolved luminescence in asymmetric n-type GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 92, p. 143505-143508, issn: 0003-6951, 2008.
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GALETI, H.v.a. ; BONETTE, Hugo ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZ-RICHARD, V. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed ; HILL, G.. Role of X valley on the dynamics of electron transport through a GaAs/AlAs double-barrier structure. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. v. 78, p. 165309-165315, issn: 1098-0121, 2008.
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SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; BRASIL, M. J. P. ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Light Controlled Spin Polarization in asymmetric n-type resonant tunneling diode. Applied Physics Letters. v. 91, p. 73520-1-73520-3, issn: 0003-6951, 2007.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Helder Vinícius Avanço Galeti (9.0)
BALANTA, M.A.G. ; ORSI GORDO, V. ; CARVALHO, A.R.H. ; PUUSTINEN, J. ; ALGHAMDI, H.M. ; HENINI, M. ; GALETI, H.v.a. ; GUINA, M. ; GALVÃO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1−xBix/GaAs quantum wells. JOURNAL OF LUMINESCENCE. v. 182, p. 49-52, issn: 0022-2313, 2017.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
ORSI GORDO, V. ; GOBATO, Y. GALVÃO ; Galeti, H. V. A. ; BRASIL, M. J. S. P. ; TAYLOR, D. ; HENINI, M.. Spin Polarization of Carriers in InGaAs Self-Assembled Quantum Rings Inserted in GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Devices. Journal of Electronic Materials. v. 46, p. 3851-3856, issn: 0361-5235, 2017.
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BALANTA, M. A. G. ; KOPACZEK, J. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, B. H. B. ; RODRIGUES, A. D. ; GALETI, H. V. A. ; RICHARDS, R. D. ; BASTIMAN, F. ; DAVID, J. P. R. ; R. Kudrawiec, ; GALVÃO GOBATO, Y.. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi As /GaAs multiple quantum wells. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 355104, issn: 0022-3727, 2016.
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RODRIGUES, D. ; Brasil, M J S P ; M.Orlita ; Jan Kunc ; GALETI, H. V.a. ; Henini, M. ; D. Taylor ; GOBATO, Y.GALVÃO. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 165104, issn: 0022-3727, 2016.
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NOBREGA, J. ARAÚJO E ; GORDO, V. ORSI ; GALETI, H.v.a. ; GOBATO, Y. GALVÃO ; BRASIL, M.j.s.p. ; TAYLOR, D. ; ORLITA, M. ; HENINI, M.. Spin polarization of carriers in resonant tunneling devices containing InAs self-assembled quantum dots. Superlattices and Microstructures. v. 88C, p. 574-581, issn: 0749-6036, 2015.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
GALETI, H. V. A. ; BRASIL, Maria J. S. P. ; Gobato, YG ; HENINI, M.. Voltage controlled electron spin dynamics in resonant tunnelling devices. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 165102, issn: 0022-3727, 2014.
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I. Taj Awan ; GALETI, H. V. A. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; BRASIL, Maria J. S. P. ; TAYLOR, D. ; HENINI, Mohamed. Effects of Be acceptors on the spin polarization of carriers in p-i-n resonant tunneling diodes. Journal of Applied Physics. v. 116, p. 054506, issn: 0021-8979, 2014.
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CARVALHO, A. H. ; Vanessa Orsi Gordo ; GALETI, Helder V.a. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Kudrawiec R ; Lemine O ; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 075103, issn: 0022-3727, 2014.
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GALETI, H. V. A. ; BEZERRA, A. T. ; GOBATO, Y.GALVÃO ; BRASIL, M. ; TAYLOR, D. ; HENINI, M.. Optical and electrical control of spin polarization of two-dimensional hole gases in p-type resonant tunnelling devices. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 46, p. 505313, issn: 0022-3727, 2013.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Marcio Peron Franco de Godoy (6.0)
HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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DE HERVAL, L.K.S. ; TUNCER ARSLANLAR, Y. ; AYVACIKLI, M. ; IIKAWA, F. ; NOBREGA, J.A. ; Pizani, P.S. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; CAN, N. ; HENINI, M. ; DE GODOY, M.P.F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+ -doped SrAl2O4. Journal of Luminescence. v. 162, p. 17-20, issn: 0022-2313, 2015.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CARVALHO, A. H. ; Vanessa Orsi Gordo ; GALETI, Helder V.a. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Kudrawiec R ; Lemine O ; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 075103, issn: 0022-3727, 2014.
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LOPES-OLIVEIRA, V. ; HERVAL, L.K.S. ; ORSI GORDO, V. ; D.F. Cesar ; Marcio Peron Franco de Godoy ; GALVÃO GOBATO, Y. ; HENINI, Mohamed ; KHATAB, A. ; SADEGHI, M. ; WANG, S. ; SCHMIDBAUER, M.. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics. v. 116, p. 233703, issn: 0021-8979, 2014.
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AYVAC'KL', M. ; CANIMOGLU, A. ; KARABULUT, Y. ; KOTAN, Z. ; HERVAL, L.K.S. ; DE GODOY, M.P.F. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; HENINI, M. ; CAN, N.. Radioluminescence and photoluminescence characterization of Eu and Tb doped barium stannate phosphor ceramics. Journal of Alloys and Compounds. v. 590, p. 417-423, issn: 0925-8388, 2013.
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Pusep, Yu. A. ; Gold, A. ; Mamani, N. C. ; de Godoy, M. P. F. ; Galva o Gobato, Y. ; LAPIERRE, R. R.. Electron and hole scattering in short-period in InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics. v. 110, p. 073706-1-073706-6, issn: 0021-8979, 2011.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Ernesto Chaves Pereira de Souza (3.0)
Driele von Dreifus ; Marcio de Godoy ; Adriano Rabelo ; Ariano Rodrigues ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Paulo de Camargo ; PEREIRA, Ernesto ; OLIVEIRA, A. J. A.. Antiferromagnetism induced by oxygen vacancies in V ₂ O ₅ polycrystals synthesized by the Pechini method. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 48, p. 445002, issn: 0022-3727, 2015.
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HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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BERGAMASKI, Franciele Of ; GOBATO, Y. G. ; PEREIRA, Ernesto C. Photoluminescence Intensity Enhancement in Poly(3-thiopheneacetic Acid) Films induced by Laser irradiation. Molecular Crystals and Liquid Crystals (Philadelphia, Pa. : 2003). v. 485, p. 780-788, issn: 1542-1406, 2008.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Adilson Jesus Aparecido de Oliveira (2.0)
Driele von Dreifus ; Marcio de Godoy ; Adriano Rabelo ; Ariano Rodrigues ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Paulo de Camargo ; PEREIRA, Ernesto ; OLIVEIRA, A. J. A.. Antiferromagnetism induced by oxygen vacancies in V ₂ O ₅ polycrystals synthesized by the Pechini method. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 48, p. 445002, issn: 0022-3727, 2015.
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HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Ariano De Giovanni Rodrigues (2.0)
BALANTA, M. A. G. ; KOPACZEK, J. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, B. H. B. ; RODRIGUES, A. D. ; GALETI, H. V. A. ; RICHARDS, R. D. ; BASTIMAN, F. ; DAVID, J. P. R. ; R. Kudrawiec, ; GALVÃO GOBATO, Y.. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi As /GaAs multiple quantum wells. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 355104, issn: 0022-3727, 2016.
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HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Adenilson José Chiquito (1.0)
CHIQUITO, A. J.; SOUZA, Marcelo Gustavo de ; CAMPS, Ishosvany ; GOBATO, Yara Galvão. Temperature dependence of electrical and optical properties in InAs/GaAs and GaAs/InAs/AlAs self-assembled quantum dots. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 21, n. 7, p. 912-917, issn: 0268-1242, 2006.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Paulo Sergio Pizani (1.0)
DE HERVAL, L.K.S. ; TUNCER ARSLANLAR, Y. ; AYVACIKLI, M. ; IIKAWA, F. ; NOBREGA, J.A. ; Pizani, P.S. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; CAN, N. ; HENINI, M. ; DE GODOY, M.P.F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+ -doped SrAl2O4. Journal of Luminescence. v. 162, p. 17-20, issn: 0022-2313, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Vivaldo Leiria Campo Junior (1.0)
Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
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Data de processamento: 24/11/2017 12:06:58

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