Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
Departamento de Física (DF)

Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET)
Campus São Carlos

Plataforma Lattes / outubro de 2020

Jose Claudio Galzerani

Graduado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1973), com mestrado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1976) e doutorado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1980). Nos anos 1981 e 1982 desenvolveu atividades de Pós-doutorado junto ao Laboratório de Pesquisas em Dispositivos (IFGW-Unicamp). Atualmente é professor associado 4 da Universidade Federal de São Carlos. Foi responsável pela instalação do Laboratório de Semicondutores do Departamento de Física da UFSCar. Desenvolve pesquisas com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: espectroscopia Raman, materiais semicondutores, nano-estruturas semicondutoras (super-redes e pontos quânticos). (Texto informado pelo autor)

http://lattes.cnpq.br/2448874919199274 (12/12/2012)

Rótulo/Grupo:

Bolsa CNPq:

Período de análise: 1980-2013

Endereço: Universidade Federal de São Carlos, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física. Via Washington Luiz, km. 235 13565-905 - Sao Carlos, SP - Brasil Telefone: (16) 33519730

Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Área: Física

Citações: Google Acadêmico

Produção bibliográfica

Artigos completos publicados em periódicos (72)
1. SOUZA, N. S. ; Rodrigues A. D. ; C. A. Cardoso ; PARDO, H. ; FACCIO, R. ; Mombru A. W. ; GALZERANI, J. C. ; LIMA, O. F. ; SERGEENKOV, S. ; ARAUJO-MOREIRA, F. M.. Physical properties of nanofluid suspension of ferromagnetic graphite with high Zeta potential. Physics Letters. A (Print). v. 376, p. 544-546, issn: 0375-9601, 2012.
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Livros publicados/organizados ou edições (0)
Capítulos de livros publicados (4)
1. Rodrigues A. D. ; GALZERANI, J. C. ; PUSEP, Y. A.. Overdamped plasmon-LO phonon modes in intentionally disordered GaAs/AlGaAs superlattices. Em: Antonio Cricenti. (Org.). Epioptics 10. Londres. : World Scientific. 2010.v. 10, .
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2. A. G. Rodrigues ; GALZERANI, J. C. ; PUSEP, Y. A. ; COMEDI, D. M. ; R. R. LaPierre. Vibrational properties and the miniband effect in InGaAs/InP superlattices. Em: Antonio Cricenti. (Org.). Epioptics-9. London. : World Scientific. 2008.v. 9, .
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3. A. G. Rodrigues ; E. Marega Jr. ; GALZERANI, J. C.. InMnAs quantum dots: a Raman spectroscopy analysis. Em: B. Murdin and S. Clowes. (Org.). Springer Proceedings in Physics 119 - Narrow Gap Semiconductors. Guildford. : University of Surrey. 2008.v. único, p. 57-60.
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4. MILEKHIN, A. G. ; TOROPOV, A. I. ; BAKAROV, A. K. ; LADANOV, M. Y. ; TENNE, D A ; ZANELATTO, G. ; GALZERANI, J. C. ; SCHULZE, S. ; ZAHN, D. R. T.. Phonons in InGaAs/AlGaAs quantum dot superlattices: a Raman study. Em: Kono Léotin. (Org.). Institute of Physics Conference Series:Narrow Gap Semiconductors 2005. Toulouse. : Taylor Francis. 2007.v. 187, .
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Textos em jornais de notícias/revistas (1)
1. GALZERANI, J. C. O que são semicondutores e quais as suas aplicações?. Ciência Hoje, , v. 35, p. 6-7, 01 jun. 2004.
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Trabalhos completos publicados em anais de congressos (16)
1. MILEKHIN, A. G. ; TOROPOV, A. I. ; BAKAROV, A. K. ; LADANOV, M. Y. ; TENNE, D A ; ZANELATTO, G. ; GALZERANI, J. C. ; SCHULZE, S. ; ZAHN, D. R. T.. Phonons in InGaAs/AlGaAs quantum dot superlattices: a Raman study. Em: 12th. International Conference on Narrow Gap Semiconductors, v. Único, 2005.
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2. MILEKHIN, A. G. ; TOROPOV, A. I. ; BAKAROV, A. K. ; TENNE, D A ; ZANELATTO, G. ; GALZERANI, J. C. ; SCHULZE, S. ; ZAHN, D. R. T.. Interface phonons of quantum dots in the InAs(Al,Ga)As heteroepitaxial system: a Raman study. Em: 27th. International Conference on the Physics of Semiconductors, 2004.
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3. MILEKHIN, A. G. ; TOROPOV, A. I. ; BAKAROV, A. K. ; M. Yu. Ladanov ; ZANELATTO, G. ; GALZERANI, J. C. ; SCHULZE, S. ; ZAHN, D. R. T.. Infrared reflectivity and Raman spectra of InAs/AlAs periodical structures with InAs and AlAs quantum dots. Em: 11th. International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", v. 1, p. 368-369, 2003.
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16. GALZERANI, J. C.; KATIYAR, R. S.. Temperature dependent Raman scattering in SrTiO3. Em: 7th. International Conference on Raman Spectroscopy, v. único, 1980.
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Resumos expandidos publicados em anais de congressos (1)
1. GALZERANI, J. C.; A. G. Rodrigues ; Y. A. Pusep ; D. Comedi ; R. R. LaPierre. Vibrational properties and the miniband effect in InGaAs/InP superlattices. Em: Epioptics 9, 2006. Epioptics 9. Erice, v. único, 2006.
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Resumos publicados em anais de congressos (65)
1. Rodrigues A. D. ; SOUZA, N. S. ; ARAUJO-MOREIRA, F. M. ; GALZERANI, J. C.. Raman study in nanofluid ferromagnetic graphite. Em: XX International Materials Research Congress, 2011, Cancun (México). Proceedings of the XX International Materials Research Congress, v. Único, 2011.
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2. Galzerani, J. C. ; Rodrigues, A. D. ; Pusep, Yu. A.. Raman scattering analysis of highly doped semiconductor superlattices. Em: Solid State Chemistry 2010, 2010, Praga. Solid State Chemistry 2010. Praga: Institute of Inorganic Chemistry AS SR, v.v.i, v. Único, p. 221-221, 2010.
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3. Rodrigues, A. D.; Souza, N. S. ; Cardoso, C. A. ; Araújo-Moreira, F. M. ; Galzerani, J. C.. Structural study of nanofluid ferromagnetic graphite by Raman Spectroscopy. Em: IX Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat Brazilian MRS Meeting, 2010, Ouro Preto. Resumos do IX SBPMat, v. Único, 2010.
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4. RODRIGUES, A. D.; GALZERANI, José Cláudio ; PUSEP, Y. A. ; Comedi, D.. Observation of elastic relaxation in porous silicon. Em: Ecoss 26 - European Conference on Surface Science, 2009, Parma - Itália. Proceedings of the European Conference on Surface Science. Parma, v. único, p. 154-154, 2009.
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8. Rodrigues A. D. ; GALZERANI, J. C. ; PUSEP, Y. A.. Raman spectroscopy investigation of the plasmon damping effect in doped GaAs/AlGaAs superlattices. Em: 35th. International Symposium on Compound Semiconductors, 2008, Rust - Alemanha. Proceedings of the 35th. International Symposium on Compound Semiconductors, v. único, p. P08-P08, 2008.
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Apresentações de trabalho (30)
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3. Rodrigues A. D. ; GALZERANI, J. C. ; PUSEP, Y. A. ; D. Comedi. Observation of elastic relaxation in porous silicon. 2009. Apresentação de Trabalho/Congresso
4. Rodrigues A. D. ; GALZERANI, J. C. ; PUSEP, Y. A.. Raman spectroscopy investigation of the plasmon damping effect in doped GaAs/AlGaAs superlatteces. 2008. Apresentação de Trabalho/Congresso
5. A. G. Rodrigues ; GALZERANI, J. C. ; Gonçalves D. M. ; DIAS, J. H.. Raman scattering study of annealed Ga(Mn)N films. 2008. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
6. GALZERANI, J. C.; A. G. Rodrigues ; E. Marega Jr. ; SALAMO, G. J.. InMnAs quantum dots: a Raman spectroscopy analysis. 2007. Apresentação de Trabalho/Congresso
7. R. R. O. Morais ; CARDOSO, L. P. ; GALZERANI, J. C.. Raman spectroscopy studies of the In(x)Ga(1-x)P/GaAs heterostructure. 2006. Apresentação de Trabalho/Congresso
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10. MILEKHIN, A. G. ; TOROPOV, A. I. ; TOROPOV, A. I. ; BAKAROV, A. K. ; LADANOV, M. Y. ; ZANELATTO, G. ; GALZERANI, J. C. ; SCHULZE, S. ; ZAHN, D. R. T.. Infrared reflectivity and Raman spectra of InAs/AlAs periodical structures with InAs and AlAs quantum dots. 2003. Apresentação de Trabalho/Simpósio
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20. PUSEP, Y. A. ; SILVA, M. T. O. ; GALZERANI, J. C. ; SCOLFARO, L. M. R. ; ENDERLEIN, R. ; QUIVY, A. A. ; LIMA, A. P. ; LEITE, J. R.. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. 1996. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
21. SILVA, S. W. ; PUSEP, Y. A. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. ; BASMAJI, P.. Evidence of corrugation of the (311)A surface found in Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. 1995. Apresentação de Trabalho/Simpósio
22. SILVA, S. W. ; PUSEP, Y. A. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. I. ; BASMAJI, P.. Evidence of corrugation of the (311)A surface observed in Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. 1995. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
23. PUSEP, Y. A. ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C.. Infrared and Raman spectroscopies of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices. 1995. Apresentação de Trabalho/Simpósio
24. PUSEP, Y. A. ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; LUBYSHEV, D. I. ; BASMAJI, P.. Spectroscopic atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlGaAs superlattices. 1995. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
25. PUSEP, Y. A. ; SILVA, S. W. ; GALZERANI, J. C. ; MILEKHIN, A. G. ; LUBYSHEV, D. I. ; BASMAJI, P.. Spectroscopy of strained GaSb/AlSb superlattices. 1995. Apresentação de Trabalho/Simpósio
26. PIZANI, P. S. ; GALZERANI, J. C. ; GARCIA, D. ; EIRAS, J. A.. Raman study of (P{b,La)TiOs ceramics. 1993. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
27. GALZERANI, J. C.; OYAMA, A. M. ; PIZANI, P. S. ; LANDERS, R. ; MORELHÃO, S. L. ; CARDOSO, L. P.. The Au and Au-Zn contacts to p-GaSb and the characteristics of the interfaces. 1991. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
28. OLIVEIRA, J. B. B. DE ; CARDOSO, L. P. ; PRINCE, F. C. ; PASA, A. A. ; C. A. Olivieri ; GALZERANI, J. C.. Characterization of AuGeNi ohmic contacts on n-GaAs using electrical measurements, Auger electron spectroscopy and X-ray diffractometry. 1989. Apresentação de Trabalho/Congresso
29. OLIVEIRA, J. B. B. DE ; PRINCE, F. C. ; J. D. Freire ; GALZERANI, J. C.. Specific contact resistance for Au-Zn contacts on p-GaSb. 1987. Apresentação de Trabalho/Simpósio
30. GALZERANI, J. C.. O dia a dia de um Físico. 2011. Seminário
Demais tipos de produção bibliográfica (0)

Produção técnica

Programas de computador com registro de patente (0)
Programas de computador sem registro de patente (0)
Produtos tecnológicos (0)
Processos ou técnicas (0)
Trabalhos técnicos (0)
Demais tipos de produção técnica (0)

Produção artística

Total de produção artística (0)

Orientações em andamento

Supervisão de pós-doutorado (0)
Tese de doutorado (0)
Dissertação de mestrado (0)
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (0)
Orientações de outra natureza (0)

Supervisões e orientações concluídas

Supervisão de pós-doutorado (1)
1. Giovani Zanelatto. . Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2006.
  Supervisor: Jose Claudio Galzerani.
Tese de doutorado (6)

Ariano de Giovanni Rodrigues. Interação plasmon-fônon LO em superredes semicondutoras. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Verônica Elza Espinosa Carrasco. Estudo por espectroscopia Raman de efeitos de localização das excitações elementares em superredes e em ligas dopadas. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2005.
Supervisor: Jose Claudio Galzerani.
William Fortunato da Silva. Filmes de diamante não-dopados e dopados: um estudo sistemático usando espectroscopia Raman. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2004.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
G Zanelatto. Estudos por espectroscopia Raman de interfaces em nanoestruturas semicondutoras crescidas por MBE - super-redes e pontos quânticos auto-organizados. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 1999.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
M. T. O. Silva. Estudos por espectroscopia Raman da condutividade vertical e de efeitos de localização em superredes semicondutoras dopadas. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 1999.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
S W da Silva. Estudos de Interfaces de Poços Quânticos e de Superredes do Tipo Gaas/Algaas, Crescidas Em Diferentes Direções Cristalográficas, Por Espectroscopia Raman. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Dissertação de mestrado (7)

Rômulo Ronan Oliveira de Moraes. Estudos por espectroscopia Raman da heteroestrutura semicondutora In(x)Ga(1-x)P/GaAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2005.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Ariano De Giovanni Rodrigues. Análise por espectroscopia Raman ressonante de pontos quânticos auto-organizados de Ge/Si. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2004.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
William Fortunado da Silva. Espalhamento Raman em ligas semicondutoras dopadas Al(x)Ga(1-x)As:Si. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2000.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Giovani Zanelatto. Caracterização de Micro-Estruturas Por Espalhamento Raman. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
M. T. O. Silva. Espalhamento Raman Em Superredes (Gaas)N(Alas)M Altamente Dopadas. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
A M Oyama. Propriedades Elétricas e estruturais do contato ôhmico AuZn/p-GaSb. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1991.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
J B B Oliveira. Estudos dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e P-GaSb/AuZn. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 1989.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (1)

Carlos Eduardo Seki Deguchi. Espectroscopia Raman. (Graduação em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2008.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Iniciação científica (18)

Getúlio Eduardo Rodrigues de Paiva. Espectroscopia de Infravermelho por Transformada de Fourier. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2008.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Tatiane Corrêa de Godoy. A espectroscopia Raman e sua aplicação ao estudo de filmes de diamante. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2004.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Olívia Maria Berengue. O espalhamento Raman e seu uso na caracterização de materiais semicondutores. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2004.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Edson Roberto de Souza. A espectroscopia Raman. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1998.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
William Fortunato da Silva. Espectroscopia Raman em Semicondutores. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 1997.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Marcio Rezende Cordeiro. Preparação e caracterização de contatos retificadores para semicondutores compostos. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Marcio Rezende Cordeiro. Preparação e caracterização de contatos retificadores para semicondutores compostos. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Carlos Henrique Portezani. Espectroscopia de Capacitância Schottky. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Giuliano Silva Moura. Preparação de amostras de contatos ohmicos para semicondutores compostos. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1995.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Marcionílio Teles de Oliveira Silva. Estudos de contatos retificadores em semicondutores compostos. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1993.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Giovani Zanelatto. Preparação e caracterização de contatos ohmicos para semicondutores compostos. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1992.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Gilberto Aparecido Pratavieira. Estudo de contatos retificadores para o n-GaAs. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1990.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Marcos Cesar de Oliveira. Fabricação e Caracterização de Contatos em Semicondutores Compostos. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1990.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Márcio Rogério Cardinal. Preparação e caracterização de contatos ohmicos para semicondutores. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1990.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Edmundo Aparecido Hamano. Estudo do contato schottky Al-GaAs(n) com a temperatura. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1988.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
André Maeda Oyama. Resistência específica de contato e métodos para sua determinação. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 1988.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Mário Roberto da Silva. Construção de um laser de vapor de mercúrio. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 1986.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
José Brás Barreto de Oliveira. Difusão Superficial em Semicondutor composto. (Graduando em Bacharelado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1985.
Orientador: Jose Claudio Galzerani.
Orientações de outra natureza (0)

Projetos de pesquisa

Total de projetos de pesquisa (7)

2010-Atual. Espectroscopia Raman em materiais nanoestruturados
Descrição: Propriedades vibracionais e de transporte de materiais crescidos na forma de nanoestruturas são analisadas utilizando o espalhamento Raman, com ênfase nos materiais semicondutores. Propriedades dinâmicas (e localização) de plasmons em super-redes dopadas e desordenadas, nano-estruturas auto-construídas ("self-assembled") - pontos quânticos e nano-fios do tipo caroço-casca ("core-shell nanowires") constituem alguns dos objetos de estudo neste projeto.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador / Ariano de Giovanni Rodrigues - Integrante. Número de produções C, T A: 2
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2008-2011. estudos de nano-estruturas semicondutoras por Espectroscopia Raman
Descrição: As potencialidades da espectroscopia Raman são exploradas na investigação das propriedades de materiais semicondutores nano-estruturados. A técnica permite a realização de análises locais (da ordem de microns no caso do acoplamento de um microscópio - micro Raman) das propriedades eletrônicas e cristalinas do material analisado. Nano estruturas semicondutoras tais como super-redes (desordenadas e dopadas), pontos quânticos, fios quânticos e semicondutores magnéticos diuídos (na forma de pontos quânticos) constituem os principais objetos de estudo.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador / Y. A. Pusep - Integrante / Ariano de Giovanni Rodrigues - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa. Número de produções C, T A: 16 / Número de orientações: 1
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2007-2010. Propriedades vibracionais de super-redes semicondutoras dopadas
Descrição: As potencialidades da espectroscopia Raman serão aplicadas ao estudo de super-redes semicondutoras dopadas e intencionalmente desordenadas. Os estudos se darão principalmente através da análise dos modos acoplados fonon LO-plasmon.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2007-2010. Propriedades de nano-fios semicondutores
Descrição: Nono-fios de ligas semicondutoras ternárias e quaternárias, fabricados por epitaxia de feixes moleculares serão investigados utilizando espectroscopia Raman no Laboratório de Semicondutores do DF-UFSCar. Outras técnicas serão aplicadas ao estudos destas estruturas em laboratórios associados graças ao projeto CIAM 490843/2006-9. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador / Y. A. Pusep - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2005-2008. Propriedades vibracionais de nano-estruturas semicondutoras e de filmes de diamante: analises usando espectroscopia Raman
Descrição: Nano-estruturas semicondutoras, em especial super-redes e pontos quânticos terão suas propriedades exploradas através da espectroscopia Raman. Super-redes dopadas e desordenadas de GaAs/AlGaas em que a desordem vertical é produzida pela variação aleatória das espessuras dos poços de GaAs serão analisadas principalmente através dos modos acoplados fonon LO-plasmon. Pontos quânticos auto-organizados de Ge/Si crescidos por M.B.E. a diferentes temperaturas, serão estudados por espalhamento Raman ressonante na expectativa de se observar os 'gaps' E1 e Eo do Ge; efeitos de tensão e de distribuição de tamanhos dos pontos quânticos deverão receber atenção. Filmes de diamante deverão ser analisados através da qualidade, homogeneidade e das tensões.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa. Número de produções C, T A: 23 / Número de orientações: 1
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2003-2006. Estudos de propriedades opticas e eletricas de heteroestruturas semicondutoras
Descrição: O tema central deste projeto é a caracterização das propriedades ópticas e elétricas de materiais semicondutores crescidos artificialmente, com especial ênfase para as estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade (superredes, poços e pontos quânticos). Para tanto, quatro técnicas já implantadas deverão ser aplicadas: espectroscopia Raman (macro e micro), espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier (FTIR), fotoluminescência e espectroscopia de capacitância. Avanços são propostos com a finalidade do melhor aproveitamento das facilidades do laboratório visando, por um lado, fornecer subsídios aos laboratórios que preparam as amostras de heteroestruturas e por outro lado, promover a discussão e resolução de importantes aspectos da física das heteroestruturas semicondutoras.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (6) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (3) . Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador / Y. A. Pusep - Integrante / S. Mergulhão - Integrante / A J Chiquito - Integrante / Y. G. Gobato - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa. Número de produções C, T A: 13 / Número de orientações: 3
Membro: Jose Claudio Galzerani.
2000-2005. Estudos de filmes de diamante crescidos por CVD
Descrição: Filmes de diamante crescidos sobre Silício pela técnica de Deposição por Vapor Químico são analisados por espectrocopia Raman. Os estudos revelam propriedades tais como a qualidade, a homogeneidade e as tensões além de efeitos de dopagem em amostras dopadas com boro (tipo p).. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . Integrantes: Jose Claudio Galzerani - Coordenador / William Fortunato da Silva - Integrante / João Roberto Moro - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro / Universidade São Francisco - Cooperação. Número de produções C, T A: 3 / Número de orientações: 2
Membro: Jose Claudio Galzerani.

Prêmios e títulos

Total de prêmios e títulos (0)

Participação em eventos

Total de participação em eventos (34)

Solid State Chemistry 2010. Raman scattering analysis of highly doped semiconductor superlattices. 2010. (Congresso).
26th. European Conference on Surface Science. Observation of elastic relaxation in Porous Silicon. 2009. (Congresso).
35th. International Symposium on Compound Semiconductors.Raman spectroscopy investigation of the plasmon damping effect in doped GaAs/AlGaAs superlattices. 2008. (Simpósio).
Fifth International Conference on Physics and Applications of Spin-related phenomena in Semiconductors. Raman scattering study of annealed Ga(Mn)N films. 2008. (Congresso).
13th. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.Activation energies in diamond films evaluated using admittance spectroscopy and resistivity measurements. 2007. (Oficina).
13th. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.Raman spectroscopy characterization of InMnAs ferromagnetic semiconductor quantum dots. 2007. (Oficina).
Raman spectroscopy studies of the In(x)Ga(1-x)P/GaAs heterostructures.International Symposium on Compound Semiconductors. 2006. (Simpósio).
Vibrational properties and the miniband effect in InGaAs/InP superllattices.Epioptics 9. 2006. (Oficina).
Self-assembled Ge/Si quantum dot superlattices: analysis using Raman spectroscopy and capacitance measurements.2004 Materials Research Fall Meeting. 2004. (Encontro).
Infrared reflectivity and Raman spectra of InAs/AlAs periodical structures with InAs and AlAs quantum dots.11th. International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. 2003. (Simpósio).
Resonant Raman Scattering of relaxed Ge quantum dots. 26th. International Conferente on the Physics of Semiconductors. 2002. (Congresso).
Raman spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. 10th. International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. 2001. (Congresso).
Study of the segregation process in GaAs/AlAs superlattices, using Raman spectroscopy. Conference Application of Spectroscopic Techniques on HTSC, CMR and Superlattice Materials. 2000. (Congresso).
The vertical electrical conductivity studied by Raman scattering in the GaAs/AlAs and delta-doped GaAs superlattices. XVIIIth. International Conference on Raman Spectroscopy. 2000. (Congresso).
Propagation and localization of vertically polarized plasmon-LO phonon collective excitations in doped GaAs/AlAs superlattices.196th. Meeting of the Electrochemical Society. 1999. (Encontro).
Raman spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 24th. International Conference on the Physics of Semiconductors. 1998. (Congresso).
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 10th. International Conference on Superlattices, Microsctructures and Microdevices. 1997. (Congresso).
Optical properties of the (311) oriented GaAs/AlAs superlattices and quantum wire-like structures. 8th. Annual Conference on Modulated Semiconductor Structures. 1997. (Congresso).
Fano-like electron-phonon interference in delta-doped GaAs superlattices. Ninth International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. 1996. (Congresso).
Photoluminescence of spin-orbit-split exciton in the self-assembled InAs and In(0,5)Ga(0,5)As quantum dots. 23rd. International Conference on the Physics of Semiconductors. 1996. (Congresso).
Evidence of corrugation of the (311)A surface found in Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices.7th. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 1995. (Oficina).
Evidence of corrugation of the (311)A surface observed in Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. 2nd International Conference Physics of Low-dimensional Structures. 1995. (Congresso).
Spectroscopic atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlGaAs superlattices. 13th. International Vacuum Congress and 9th. International Conference on Solid Surfaces. 1995. (Congresso).
Spectroscopy of strained GaSb/AlSb superlattices.Materials Research Society Fall Meeting. 1995. (Encontro).
Study of atomic-scale roughness and segregation in the ultrathin-layer GaAs/AlAs superlattices by Raman spectroscopy.First Brazilian/German workshop on apllied surface science. 1995. (Oficina).
Flash evaporated GaSb crystallization studied by Raman spectroscopy. 6th. Brazilian School of Semiconductor Physics. 1993. (Congresso).
Raman Study on (Pb,La)TiO3 ceramics. Third Euro-Ceramics. 1993. (Congresso).
Investigation of AuZa ohmic contacts to p-GaSb. 5th. Brazilian School on Semiconductor Physics. 1991. (Congresso).
The Au and AuZa contacts to p-GaSb and the characteristics of the interfaces. 12th. European Conference on Surface Science. 1991. (Congresso).
Characterization of AuGeNi ohmic contacts on n-GaAs using electrical measurements, Auger Electron spectroscopy and X-ray diffractometry. Eleventh International Vacuum Congress and Seventh International Conference on Solid Surfaces. 1989. (Congresso).
Preparation and Characterization of nGaAs/AuGeNi ohmic contacts. Quarta Escola Brasileira de Física de Semicondutores. 1989. (Congresso).
Estudos de contatos para o GaSb. III Escola Brasileira de Física de Semicondutores. 1987. (Congresso).
Implantação de ions de Au em GaAs: Medida da distribuição espacial e sua evolução com tratamentos térmicos. III Escola Brasileira de Física da Semicondutores. 1987. (Congresso).
Specific contact resistance for Au-Zn contacts on p-GaSb. Electrochemical Society Symposium on Contacts to Compound Semiconductors. 1987. (Congresso).

Organização de eventos

Total de organização de eventos (0)

Lista de colaborações

Colaborações endôgenas (8)

Jose Claudio Galzerani ⇔ Ariano De Giovanni Rodrigues (10.0)
Rodrigues, A. D. ; CHIQUITO, A. J. ; ZANELATTO, G. ; MILEKHIN, A. G. ; Nikiforov, A. I. ; Ulyanov, V. V. ; Pchelyakov, O. P. ; ZAHN, D. R. T. ; GALZERANI, J. C.. Ge/Si Quantum Dots Superlattices Grown at Different Temperatures and Characterized by Raman Spectroscopy and Capacitance Measurements. Advances in Condensed Matter Physics (Print). v. 2012, p. 1-7, issn: 1687-8108, 2012.
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SOUZA, N. S. ; Rodrigues A. D. ; C. A. Cardoso ; PARDO, H. ; FACCIO, R. ; Mombru A. W. ; GALZERANI, J. C. ; LIMA, O. F. ; SERGEENKOV, S. ; ARAUJO-MOREIRA, F. M.. Physical properties of nanofluid suspension of ferromagnetic graphite with high Zeta potential. Physics Letters. A (Print). v. 376, p. 544-546, issn: 0375-9601, 2012.
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A. G. Rodrigues ; Galzerani, J. C.. Espectroscopias de infravermelho, Raman e de fotoluminescência: potencialidades e complementaridades. Revista Brasileira de Ensino de Física (Impresso). v. 34, p. 4309-4317, issn: 1806-1117, 2012.
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Mohseni, P. K. ; Rodrigues, A. D. ; Galzerani, J. C. ; PUSEP, Y. A. ; LaPierre, R. R.. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics. v. 106, p. 124306-1-124306-7, issn: 0021-8979, 2009.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Adenilson José Chiquito (9.0)
Rodrigues, A. D. ; CHIQUITO, A. J. ; ZANELATTO, G. ; MILEKHIN, A. G. ; Nikiforov, A. I. ; Ulyanov, V. V. ; Pchelyakov, O. P. ; ZAHN, D. R. T. ; GALZERANI, J. C.. Ge/Si Quantum Dots Superlattices Grown at Different Temperatures and Characterized by Raman Spectroscopy and Capacitance Measurements. Advances in Condensed Matter Physics (Print). v. 2012, p. 1-7, issn: 1687-8108, 2012.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Sergio Mergulhao (6.0)
CHIQUITO, A. J. ; PUSEP, Y. A. ; MERGULHÃO, S. ; GALZERANI, J. C. ; MOSHEGOV, N. T.. Investigation of the InAs/GaAs self-assembled quantum dots using the relationship between the capacitance and the density of states. Physica E - Low Dimensional Systems and Nanostructures. v. 9, n. 2, p. 321-325, issn: 1386-9477, 2001.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Yara Galvão Gobato (3.0)
CHIQUITO, A. J.; Pusep, Yu. A. ; Mergulhão, S. ; Gobato, Y. Galvão ; Galzerani, J. C.. Influence of annealing on the optical and electrical properties os multilayered InAs/GaAs quantum dots. Brazilian Journal of Physics (Impresso). v. 32, n. 2A, p. 287-290, issn: 0103-9733, 2002.
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CHIQUITO, A. J. ; PUSEP, Y. A. ; MERGULHÃO, S. ; GOBATO, Y. G. ; GALZERANI, J. C.. Influence of Annealing in the Optical and Electrical Properties of Multilayered InAs/GaAs Quantum Dots. Em: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá (SP). Proceedings of the 10th. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, v. aceito, 2001.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Fernando Manuel Araújo Moreira (2.0)
SOUZA, N. S. ; Rodrigues A. D. ; C. A. Cardoso ; PARDO, H. ; FACCIO, R. ; Mombru A. W. ; GALZERANI, J. C. ; LIMA, O. F. ; SERGEENKOV, S. ; ARAUJO-MOREIRA, F. M.. Physical properties of nanofluid suspension of ferromagnetic graphite with high Zeta potential. Physics Letters. A (Print). v. 376, p. 544-546, issn: 0375-9601, 2012.
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Rodrigues, A. D.; Souza, N. S. ; Cardoso, C. A. ; Araújo-Moreira, F. M. ; Galzerani, J. C.. Structural study of nanofluid ferromagnetic graphite by Raman Spectroscopy. Em: IX Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat Brazilian MRS Meeting, 2010, Ouro Preto. Resumos do IX SBPMat, v. Único, 2010.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Carlos Alberto Olivieri (1.0)
OLIVIERI, C. A.; GALZERANI, J C ; OLIVEIRA, J B B ; OLIVIERI, C A ; PASA, A A ; PRINCE, F C de. Properties Of Au-Zn Ohmic Contacts To P-Gasb. Journal of Applied Physics. v. 66, n. 11, p. 5484-5487, issn: 0021-8979, 1989.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Claudio Antonio Cardoso (1.0)
SOUZA, N. S. ; Rodrigues A. D. ; C. A. Cardoso ; PARDO, H. ; FACCIO, R. ; Mombru A. W. ; GALZERANI, J. C. ; LIMA, O. F. ; SERGEENKOV, S. ; ARAUJO-MOREIRA, F. M.. Physical properties of nanofluid suspension of ferromagnetic graphite with high Zeta potential. Physics Letters. A (Print). v. 376, p. 544-546, issn: 0375-9601, 2012.
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Jose Claudio Galzerani ⇔ Paulo Sergio Pizani (1.0)
SILVA, S. W. ; LUBYSHEV, D. I. ; BASMAJI, P. ; PUSEP, Y. A. ; PIZANI, P. S. ; GALZERANI, J. C. ; KATIYAR, R. S. ; MORELL, G.. Characterization Of GaAs Wire Crystals Grown On Porous Silicon By Raman Scattering. Journal of Applied Physicas. v. 82, n. 12, p. 6247-6250, issn: 0021-8979, 1997.
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Data de processamento: 12/10/2020 23:49:36

Relatório gerado por scriptLattes V8.13. Os resultados estão sujeitos a falhas devido a inconsistências no preenchimento dos CVs Lattes. E-mail de contato: admin@email.com

Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) Departamento de Física (DF)

Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) Campus São Carlos

Plataforma Lattes / outubro de 2020

Jose Claudio Galzerani

Produção bibliográfica

Produção técnica

Produção artística

Orientações em andamento

Supervisões e orientações concluídas

Projetos de pesquisa

Prêmios e títulos

Participação em eventos

Organização de eventos

Lista de colaborações

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Supervisões e orientações concluídas

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