Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
Departamento de Física (DF)

Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET)
Campus São Carlos

Plataforma Lattes / outubro de 2020

Yara Galvao Gobato

Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo (1986), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1989) e doutorado em Physique - Ecole Normale Superieurie (1993). Realizou 3 pós-doutorados sendo um na Ecole Normale Superieure na França, outro no Brasil (IFGW-UNICAMP) e recentemente no Laboratório de Altos Campos Magnéticos na Radboud University (Holanda) . É professor associado no Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos .Tem experiência na área de Física, com ênfase em Estados Eletrônicos, atuando principalmente nos seguintes temas: materiais/dispositivos semicondutores baseados em sistemas III-V, óxidos , polímeros, materiais semicondutores para aplicações em optoeletrônica e células solares. A pesquisadora atua também com grande ênfase na área nanociência e nanotecnologia com projetos em propriedades óticas e de transporte de materiais/dispositivos semicondutores tais como pontos quânticos, nanofios quânticos , sistemas semicondutores bidimensionais (2D) e etc. (Texto informado pelo autor)

http://lattes.cnpq.br/7558531056409406 (01/10/2020)

Rótulo/Grupo:

Bolsa CNPq: Nível 2

Período de análise: 2006-2020&1996-2006

Endereço: Universidade Federal de São Carlos, Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia, Departamento de Física. Rodovia Washington Luiz, Km235 Monjolinho 13565905 - São Carlos, SP - Brasil - Caixa-postal: 676 Telefone: (16) 33519716 Fax: (16) 32614835 URL da Homepage: http://www.ufscar.br

Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Área: Física

Citações: Google Acadêmico

Produção bibliográfica

Artigos completos publicados em periódicos (91)
1. TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO ; GOBATO, YARA GALVÃO ; Gracia, Lourdes ; da Silva, Luís Fernando ; Avansi, Waldir ; ASSIS, MARCELO ; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA ; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA ; Andrés, Juan ; LONGO, Elson. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. JOURNAL OF LUMINESCENCE. v. 220, p. 116990, issn: 0022-2313, 2020.
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Livros publicados/organizados ou edições (0)
Capítulos de livros publicados (0)
Textos em jornais de notícias/revistas (0)
Trabalhos completos publicados em anais de congressos (11)
1. PITON, MARCELO R. ; KOIVUSALO, EERO ; SUOMALAINEN, SOILE ; HAKKARAINEN, TEEMU ; SOUTO, S. ; GALETI, HELDER V. A. ; SCHRAMM, ANDREAS ; GOBATO, Y. GALVAO ; GUINA, MIRCEA. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. Em: 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), p. 1, 2017.
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Resumos expandidos publicados em anais de congressos (2)
1. Gobato, Yara Galvão; H. CARVALHO, HELENA ; PITON, MARCELO RIZZO ; LEMINE, O.M. ; BOUOUDINA, M ; GALETI, HELDER VA ; SOUTO, S. ; OLIVEIRA, A. Induced ferromagnetism in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder. Em: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2017, 2017.
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Resumos publicados em anais de congressos (108)
1. GOBATO, Y. G.; AVANÇO, Helder Vinicios ; Daniel F Cesar ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, Gilmar Eugêncio ; BRASIL, M. J. S. P. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; Duncan K Maude ; HENINI, Mohamed ; R.J.Airey. Spin polarization of two-dimensional electron and hole gases in non-magnetic n-type resonant tunnelling diodes (ORAL). Em: The 2nd Advanced Workshop on Spin and Charge Properties of Low Dimensional Systems, 2011, Brasov ( Romania). The 2nd Advanced Workshop on Spin and Charge Properties of Low Dimensional Systems, 2011.
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67. VERCIK, Andres ; VIEIRA, E. A. ; ROSSI, J. C. ; GOBATO, Y. G. ; CAMPS, Ihosvany ; BRASIL, M. J. P. ; MARQUES, G. E.. Probing the tristability in resonant structures. Em: XXIV Encontro Nacional de Fisica Da Matéria Condensada, 2003, Caxambú. Anais do XXIV ENFMC Sociedade Brasileira de Fisica. São Paulo: SBF, v. XXIV, 2003.
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68. CAMPS, Ihosvany ; GOBATO, Y. G. ; VERCIK, Andres. Dynamic study of the formation of neutral and charged excitons in resonant tunneling diodes. Em: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, 2003.
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69. ANNI, M. ; GIGLI, G. ; CINGOLANI, R. ; PIOVESAN, E. ; GOBATO, Y. G. ; MARLETTA, A. ; FARIA, R. M.. Time-resolved studies in Poly(p-phenylene vinylene) films irradiated by laser. Em: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu, 2003.
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70. ANJOS, P. N. ; PEREIRA, Ernesto C ; GOBATO, Y. G.. Estudo da Luminescência de Poli(ácido 3-tiofenoacético) inserido em Alcoól Polivinílico. Em: 26a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química, 2003, 2003.
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71. SANTOS, Lara Fernandes dos ; VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G.. Estudo da Fotoluminescência e Fotocorrente em Heteroestruturas Semicondutoras de Tunelamento Ressonante. Em: XI Congresso de Iniciação Científica, 2003, São Carlos, 2003.
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72. PIOVESAN, E. ; MARLETTA, A. ; GOBATO, Y. G.. Estudo das Propriedades Óticas e Elétricas de POMA/PPV. Em: II Congresso de Pós-Graduação, 2003, São Carlos, 2003.
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73. R, P. ; GOBATO, Y. G.. Propriedades Óticas de PPV foto-irradiado. Em: XI Congresso de Iniciação Científica, 2003, São Carlos, 2003.
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74. VIEIRA, E. A. ; VERCIK, Andrés ; ROSSI, J. C. ; GOBATO, Y. G.. Estudo da Histerese Aparente em Diodos de Dupla Barreira. Em: XI Congresso de Iniciação Cientifica da Ufscar, 2003, São Carlos. Anais Do XI Congresso de Iniciação Cientifica da Ufscar. Sâo Carlos: Grafica da UFSCar, v. XI, p. 75, 2003.
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75. PALHARINI, R. ; GOBATO, Y. G.. Propriedades Ópticas de Poli(p-fenileno vinileno) Fotoirradiados. Em: XI Congresso de Iniciação Científica da UFSCAR, 2003, São Carlos, 2003.
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78. ANJOS, P. N. M. ; PEREIRA, Ernesto C ; GOBATO, Y. G.. Investigation of Dual Photoluminescence Process in Poly (3-Thiophene acetic Acid)-Poly(Viny Acohol) Blends. Em: Brazilian Material Research Society Meeting, 2003, Rio de Janeiro, 2003.
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79. SANTOS, Lara Fernandes dos ; VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G.. Hole transporte dependent of GaAs/GaAlAs double barrier diodes. Em: XI Jornadas de Jóvenes Investigadores de AUGM, 2003, La Plata, 2003.
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81. ANJOS, P. N. M. ; PEREIRA, Ernesto C ; GOBATO, Y. G.. Investigation of two simultaneous luminescence emissions in Poly 3-Thiophene Acetic Acif -Poly (vinyl acohol) blends. Em: International Conference on Synthetic Metals 2004, 2003, Wollongong (Australia), 2004.
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82. GOBATO, Y. G.; VERCIK, Andrés ; CAMPS, Ihosvany ; BRASIL, M. J. ; BITTENCOURT, A. ; ESTANISLAU, J. ; MARQUES, G. E.. Selective Voltage-Controlled Hole Spin in Non-Magnetic Resonant Tunneling Diodes. Em: MRS Spring Meeting 2004, 2003, San Francisco (USA), 2004.
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83. MARLETTA, A. ; VEGA, M. ; RODRIGUES, C. ; MENDONÇA, C. ; GOBATO, Y. G. ; COSTA, L. ; FARIA, R.. Aumento da fotoluminescencia em filmes PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morfologia de superficie por microscopia de força atômica. Em: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambú-MG, 2002.
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84. VERCIK, A ; GOBATO, Y. G.. Electro-optical study of the intrinsic bisatability of resonant tunneling diodes. Em: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambú-MG, 2002.
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85. VERCIK, A ; GOBATO, Y. G.. Anomalous photoluminescence in GaAs/AlAs superlattice-like double barrier diodes. Em: XXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2002, Caxambú-MG, 2002.
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86. ANJOS, P. ; PEREIRA, Ec ; GOBATO, Y. G. ; SOUZA, J.. Luminescence Enhancement in Poly(Vinyl-Alcohol)-Poly(3- Thiopheneacetic Acid) (PVA-PTAA) Blends Induced by Laser. Em: International Conference on Synthetic Metals, 2002, 2002.
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88. VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. P.. Formation dynamics of neutral and negatively charged excitons in double barrier resonant tunneling structures. Em: 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 2002, Fortaleza, 2002.
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91. GOBATO, Y. G.; MARLETTA, A. ; SOUZA, J. ; PEREIRA, E. ; FARIA, R. ; GUIMARAES, F.. Improvement of photoluminescence efficiency in poly (p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Em: VI International Conference on Frontiers of Polymers and Advanced Materials, 2001, 2001.
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92. GOBATO, Y. G.; SOUZA, J. ; PEREIRA, Ec. Photoinduced enhancement of luminescence intensity in poly (viny-alcohol)-poly(3-thiopheneacetic)(PVA-PTAA) blends. Em: VI International Conference on Frontiers of Polymers and Advanced Materials, 2001, Recife, 2001.
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93. GOBATO, Y. G.; MARLETTA, A. ; SOUZA, J. ; PEREIRA, E. ; FARIA, R. ; GUIMARAES, F.. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by photooxidation. Em: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, Caxambú, 2001.
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94. VERCIK, A ; GOBATO, Y. G. ; MENDONZA, M. ; SCHULZ, P. A.. Transport and Optical Properties of Ressonant Tunneling Structures. Em: 10th Brazilian Workshop on Semicondutor Physics, 2001, Guarujá- SP, 2001.
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96. GOBATO, Y. G.; SCHULZ, P. A. ; LOPES, F. J. S.. Photoluminescence Studies in an N-type GaAlAs/GaAs double barrier. Em: XXIII Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada, 2000, São Lourenço. XXIII Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada, 2000.
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97. GOBATO, Y. G.; SCHULZ, P. A. ; LOPES, F. J. S.. Optical Studies of a GaAs/AlAs Tunneling Structure. Em: XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2000, São Lourenço. XXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2000.
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98. GOBATO, Y. G.; TRIQUES, A. L. C. ; RIVERA, P. H. ; SCHULZ, P. A.. Growth Island Effects in Double Barrier Structures. Em: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte. 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999.
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99. GOBATO, Y. G.; SALES, F. V. ; SOUSA, E. C. ; SOLER, M. A. G. ; DEPEYROT, J. ; ZANELATTO, G. ; CHO, S. ; SANZHERVAS, A. ; KAVALENKOV, O. ; MAJERFELD, A. ; KIM, B. W.. Estudo da Fotoluminescêcia em Poços Quânticos de AlGaAs/GaAs crescidos sobre substratos GaAs (111)A. Em: XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998, Caxambú. XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998.
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100. GOBATO, Y. G.; DEPEYROT, J. ; MORAIS, P. C. ; SOLER, M. A. G. ; SCOLFARO, L. M. R. ; WEIMANN, G. ; TRANKLE, G.. Experimental Evidence of Impurity Assisted Electron Transfer GaAs/AlGaAs Asymmetric Quantum Wells. Em: Tenth International Conference os Superlattices Microestructures and Microdevices, 1997, Lincoln. Tenth International Conference os Superlattices Microestructures and Microdevices, 1997.
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101. GOBATO, Y. G.; TRIQUES, A. L. C. ; SCHULZ, P. A.. Interface Roughness Effects in Resonat Tunneling Estructures. Em: Fifth International Meeting on Optics Confined Systems, 1997, Göttingen. Fifth International Meeting on Optics Confined Systems, 1997.
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105. GOBATO, Y. G.; TRIQUES, A. L. C. ; SCHULZ, P. A.. Photon Assisted Tunneling Studies in Double Barrier Structures. Em: 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997, Lindoia. 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1997.
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106. GOBATO, Y. G.; DPEYROT, J. ; MORAIS, P. C. ; SOLER, M. A. G. ; SCOLFARO, L. M. R. ; WEIMANN, G. ; TRANKLE, G.. Impurity Effect on Photon-Assisted Electron Transfer in GaAs-AlGaAs Asymmetric Quantum Wells. Em: Fifth International Meeting on Optics in Confined Systems, 1997, Göttingen. Fifth International Meeting on Optics in Confined Systems, 1997.
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107. GOBATO, Y. G.; TRIQUES, A. L. C. ; RIVERA, P. H. ; SCHULZ, P. A. ; MAILALLE, M. ; VINTER, B. ; GULDNER, Y.. Espectroscopia Ótica em Estruturas de Tunelamento. Em: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Lindoia. Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996.
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108. GOBATO, Y. G.; TRIQUES, A. L. C. ; RIVERA, P. H. ; SCHULZ, P. A. ; MAILALLE, M. ; VINTER, B. ; GULDNER, Y.. Evidence of Roughness in Resonant Tunneling. Em: 9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Micridevices, 1996, Liège. 9th International Conference on Superlattices, Microstructures and Micridevices, 1996.
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Artigos aceitos para publicação (0)
Apresentações de trabalho (12)
1. GALVÃO GOBATO, YARA. Many body interactions in eletrically gated monolayer MoSe2 under high magnetic field (2D Materials: From Fundamentals to Spintronics-International Institute of Physics-Natal,INVITED). 2019. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
2. GALVÃO GOBATO, Y. III-Bi-V layers and nanostructures. The case study of GaBiAs (INVITED for the Workshop on 2D and layered materials: from honeycomb sheets to nanocomposites)). 2017. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
3. GALVÃO GOBATO, Y. Optical and Magneto-Optical properties of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides ( invited speaker 2D Materials- Energy Materials Nanotechnology (EMN) Europe Meetings 2017). 2017. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
4. GALVÃO GOBATO, Y. OPTICAL AND SPIN PROPERTIES OF NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIALS (INVITED ENFMC-Natal). 2016. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
5. GALVÃO GOBATO, Y. Magneto-Optical properties of GaBiAs and InGaAsN materials (INVITED TALK-ENFMC). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
6. GALVÃO GOBATO, Y. Optical and Magneto-Optical Properties of Seminconductor Nanostructures and Nanodevices (INVITED TALK) (XIV Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica-SBF). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
7. Galvão Gobato,Y. Spin injection in resonant tunneling diodes (INVITED TALK)-ICTP-SAIFR Workshop on NanoPhysics and Spintronics). 2014. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
8. GOBATO, Y. G. Spin Effects in Semiconductor Nanostructures (INVITED TALK -VII Encontro Regional da Sociedade Brasileira de Física). 2010. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
9. GOBATO, Y. G. Spin Effects in resonant tunneling diodes (INVITED TALK)-II Oficina de Ouro Preto de Fenômenos Relacionados ao Spin. 2009. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
10. GOBATO, Y. G. Spin polarization in resonant tunneling diodes ( INVITED TALK-International Conference on Superlattice, Nanostructure and Nanodevices - ICSNN-2008). 2008. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
11. GOBATO, Y. G. Spin Effects in Resonant Tunneling Diodes (INVITED TALK-13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-13)). 2007. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
12. Galvao Gobato,Y; MARLETTA, A. ; SOUZA, J. M. ; PEREIRA, E. C. ; FARIA, R. M. ; GUIMARAES, F. E. G.. Photoinduced Enhancement of Photoluminescence Intensity in PPV Films (MRS-USA-INVITED TALK). 2001. Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra
Demais tipos de produção bibliográfica (3)
1. JC Egues ; Guilherme Sipahi ; GOBATO, Y. G. ; Gerson J. Ferreira. Proceedings of the PASPS V Conference Held in August 2008 in Foz do Iguaçu. 2010. Proceedings of international conference
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2. GOBATO, Y. G.; SANTOS, Lara Fernandes dos ; J. Kunc ; M.Orlita ; HENINI, Mohamed. Spin effects in a n-type GaAs/GaAlAs resonant tunneling diode. 2009. Annual report 2009, Laboratoire des Champs Magnétiques Intenses, CNRS,GHMFL
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3. GOBATO, Y. G.; SANTOS, Lara Fernades dos ; J. Kunc ; M.Orlita ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed. Spin polarization in a stepped n-type resonant tunneling diode. Grenoble. 2008. Annual report 2008, Laboratoire des Champs Magnétiques Intenses, CNRS,GHMFL
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Produção técnica

Programas de computador com registro de patente (0)
Programas de computador sem registro de patente (0)
Produtos tecnológicos (0)
Processos ou técnicas (0)
Trabalhos técnicos (0)
Demais tipos de produção técnica (0)

Produção artística

Total de produção artística (0)

Orientações em andamento

Supervisão de pós-doutorado (0)
Tese de doutorado (4)
1. Caique Serati de Brito. Estudo de materiais bidimensionais ferromagnéticos. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . Início: 2020.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
2. Daniele de Souza. Propriedades Óticas de Nanoestruturas Semicondutoras baseadas em GaBiAs e GaBiSb. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . Início: 2017.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
3. Felipe Soares Covre. Propriedades óticas de semicondutores bidimensionais isotrópicos e anisotrópicos. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Início: 2016.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
4. Gabriela Prando. Preparação e caracterização de heteroestruturas semicondutorass bidimensionais baseados em metais de transição dicalgonenados. Tese (Doutorado em Doutoramento em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. Início: 2016.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
Dissertação de mestrado (2)
1. Cesar Ricardo Rabahi. Propriedades óticas de materiais bidimensionais isolantes. Dissertação (Mestrado profissional em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . Início: 2020.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
2. Luis Fernando Verissimo Lacerda. Propriedades Óticas de nanosistemas semicondutores. Dissertação (Mestrado profissional em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . Início: 2019.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (1)
1. Roberto Flórez Ablan. Propriedades Óticas de heteroestruturas de van der Waals. Iniciação científica (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. Início: 2020.
  Orientador: Yara Galvão Gobato.
Orientações de outra natureza (0)

Supervisões e orientações concluídas

Supervisão de pós-doutorado (6)
1. Miguel Ángel Gonzáles Balanta. Propriedades òticas de nanoestruturas semicondutoras. Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2014.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
2. Bruno Henrique dos Santos. . Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
3. Helder Vinícius Avanço Galeti. . Universidade Federal de São Carlos, Fapesp. 2012.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
4. Rogerio Lucio de Almeida. Polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante. Universidade Federal de São Carlos, . 2011.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
5. Ihosvany Camps. . Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2005.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
6. A Vercik. . Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2003.
  Supervisor: Yara Galvão Gobato.
Tese de doutorado (9)

Marcelo Rizzo Piton. Development of Semiconductor Nanowire Materials for Eletronic and Photonics Applications. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2019.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Eduard Enrique Carvajal Taborda. Propriedades óticas e coordenação local de centros paramagnéticos em vidros e vitro-cerâmicas por Ressonância Paramagnética Eletrônica. Co-orientador : José Pedro Donoso Gonzalez. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2018.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Vanessa Orsi Gordo. Efeitos de Spin em Heteroestruturas Semicondutoras. Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Iram Taj Awan. Optical and Transport Properties of p-i-n GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2010.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Lara Fernandes dos Santos. Polarização de Spin em Diodos de Tunelamento Ressonante. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Franciele de Oliveira Freitas Bergamaski. Preparação e Caracterização das propriedades óticas de belndas de poli-(3-acidotiofenoácetico) com diacetato de celulose. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2007.
Supervisor: Yara Galvão Gobato.
Helder Vinícius Avanço Galeti. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo p. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Daniel Henrique Rodrigues. Propriedades óticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2006.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Kelusodi Eduardo Filemon. Caracterização dos diamantes da província kimberlítica de Juína (MT), província diamantífera de Pimenta Bueno (RO) e distrito diamantífero de Diamantina (MG).. Tese (Doutorado em Geociências e Meio Ambiente) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2005.
Supervisor: Yara Galvão Gobato.
Dissertação de mestrado (12)

Caique Serati. Montagem de um sistema de micro-fotoluminescência em baixa temperatura para estudo de semicondutores bidimensionais. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2020.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Gabriela Prando. Propriedades Òticas e Magneto Òticas de nanoestruturas de GaBiAs crescidas no plano (311)B. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2016.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Mariana Victória Ballottin. Caracaterização das propriedades Òticas e de Spin de Poços Quânticos de InGaAsN/GaAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Polyanna Bruna Alves de Oliveira. Estudo das propriedades óticas e magnéto-ópticas de filmes GaPN. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2014.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Anne Rose Hermanson Carvalho. Propriedades Óticas de nanoestruturas semicondutoras. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Leonilson Kiyoshi Sato de Herval. Propriedades Magnéto-Ópticas e de Magneto-Transporte de um Diodo de Tunelamento Ressonante contendo Si delta doping no Poço Quântico. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Jaldair Araújo e Nóbrega. Magneto Luminescência em Diodos de Tunelamenti Ressonante contendo Pontos Quânticos de InAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Anibal Thiago Bezerra. Estudo da polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Ednilson Carlos dos Santos. Estudo de efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante contendo dots de InAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Danny Pilar Araucano Holgado. Caracterização de Poços Quânticos de GaMnAs. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Lara Fernandes dos Santos. Efeitos de Spin em Diodos de Tunelamento Ressonante Não Magnéticos tipo n. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2005.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Helder Vinicios Avanço Galeti. Estudo da Dinâmica de Portadores em Diodos de Tunelamento Ressonante tipo p. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2005.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Monografia de conclusão de curso de aperfeiçoamento/especialização (0)
Trabalho de conclusão de curso de graduação (0)
Iniciação científica (17)

Camila Cavalini. Caracterização Òtica de Semicondutores Bidimensionais. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2018.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Debora Ramos Romagnolo. Propriedades ópticas de materiais semicondutores III-Bi/N-V utilizando espectroscopia de fotoluminescência. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2016.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Gabriel Brasil Brião de Oliveira. Espectroscopia de fotoreflectância aplicada à caracterização óptica de materiais semicondutores III-Bi/N-V. Iniciação Científica - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2015.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Mark Hoffmann. Propriedade óticas de filmes de GaAsN. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Jonas Caetano. Propriedades óticas de filmes de GaBiAs. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior. 2013.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Marco Aurélio de Menezes Franco. Caracterização ótica e elétrica de heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2011.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Douglas D´Assunção. Caracterização ótica de poços quanticos de GaMnAs. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2008.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Ednilson Carlos dos Santos. Efeito Tunel Ressonante de Buracos em heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2007.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Guilherme Augusto Duarte. Efeito do Acumulo de Carga em diodos de tunelamento ressonante. (Graduando em Engenharia Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2006.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Anibal Thiago Bezerra. Estudo do tunelamento de buracos fotogerados em heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 2005.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Lara Fernandes dos Santos. Tunelamento de buracos em heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2004.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Roberta Moreira Araújo. Preparação e Caracterização de Polímeros Condutores. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2003.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Erik Arrais Vieira. Estudo da bistabilidade aparente em heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo. 2003.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Rodrigo Palharini. Estudo das propriedades óticas de filmes PPV. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2003.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Wagner Borges de Carvalho. Propriedades Óticas de polimeros baseados em politiofenos. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 2002.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Fabio Juliano Da Silva Lopes. Estudo Experimemntal de Heteroestruturas de Tunelamento Ressonante. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico. 1999.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Lindomar Soares dos Santos. Montagem do Laboratório de Fotoluminescência. (Graduando em Física) - Universidade Federal de São Carlos, . 1999.
Orientador: Yara Galvão Gobato.
Orientações de outra natureza (1)

Reinaldo Cesar. Construção de homepage do Laboratório de Semicondutores-DF-UFSCAR. Orientação de outra natureza - Universidade Federal de São Carlos, Universidade Federal de São Carlos. 2004.
Orientador: Yara Galvão Gobato.

Projetos de pesquisa

Total de projetos de pesquisa (19)

2019-Atual. HETEROESTRUTURAS E DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES BASEADOS EM MATERIAIS BIDIMENSIONAIS (2D)
Descrição: EDITAL UNIVERSAL 2018. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2019-Atual. Nanostruturas semicondutoras bismuto diluidas e novos materiais para aplicacoes no infravermelho medio
Descrição: Compostos bismuto diluídos da forma III-Bi-V são uma classe prospectiva de ligas altamente quot;incompatíveisquot; (HMAs) nas quais uma pequena fração dos átomos do hospedeiro é substituída por um elemento muito diferente, ou seja, outro átomo do grupo III ou V. Tal classe de materiais fornecem propriedades inovadoras que podem levar ao aprimoramento significativo no desempenho de dispositivos optoeletrônicos e fotônicos e, em geral, a novas aplicações, particularmente para comprimentos de onda infravermelho próximo e médio. A compreensão geral da interação entre as propriedades fundamentais das nanoestruturas semicondutoras relevantes para dispositivos e aspectos de fabricação de materiais ainda demandam um avanço mais significativo. Entre essas características, as propriedades estruturais e ópticas são vistas como essenciais para uma grande classe de dispositivos emergentes, onde os bismuto diluídos podem fornecer novas soluções na faixa de energia infravermelha para células solares, sensores e lasers. O projeto BiMIR visa desenvolvimentos inovadores relativos à tecnologia e aplicações de materiais e nanoestruturas emergentes do III-Bi-V. Isso será possível combinando a infraestrutura para síntese e fabricação de dispositivos de última geração disponíveis na Universidade de Nottingham - UoN (parceira britânica) com a ampla experiência em caracterizar as propriedades estruturais e ópticas de materiais semicondutores disponíveis na UFSCar. Este projeto de pesquisa beneficiará as pesquisas em andamento sobre síntese, bem como a caracterização ótica e estrutural de nanoestruturas, abrindo novas oportunidades para fortalecer a colaboração entre um jovem pesquisador brasileiro, o Prof. Helder Galeti, e um pesquisador sênior do Reino Unido, Prof M. Henini, que colaborou por muitos anos com o pesquisador brasileiro sem um apoio formal. Durante esse tempo, dados muito interessantes relacionados aos efeitos de spin, transporte de propriedades ópticas em nanoestruturas semicondutoras foram obtidos e publicados em periódicos internacionais de alto impacto. O estabelecimento de uma parceria formal entre os pesquisadores irá aprofundar e abrir novas frentes de pesquisa no campo de materiais semicondutores nanoestruturados. (AU). Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Sérgio Paulo Amaral Souto - Integrante / Helder Vinicius A. Galeti - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de SP - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2018-2019. HETEROESTRUTURAS E DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES BASEADOS EM MATERIAIS BIDIMENSIONAIS (2D) (BOLSA DE PESQUISA FAPESP NO EXTERIOR)
Descrição: Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades ópticas, magneto-óticas e de transporte de heteroestruturas/dispositivos baseados em materiais semicondutores bidimensionais (2D) de metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M = Mo,W, Re e X= S,Se ou Te). Pretendemos investigar de forma sistemática propriedades de Física Fundamental usando as técnicas de transporte com luz circularmente polarizada, espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvida em polarização em altos campos magnéticos e com aplicação de gate elétrico. Em particular, pretendemos investigar efeitos de quebra de degenerescência de valleys devido ao campo magnético, efeitos excitônicos, efeitos de orientações de planos cristalinos nas heteroestruturas e de anisotropia nesses sistemas. Alguns estudos serão também realizados em altos campos magnéticos (até 30T) em colaboração com o Prof Peter Christianen Nijmegen (Holanda).. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2016-2018. Propriedades oticas, magneto-oticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transicao dicalcogenados
Descrição: Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de quot;chemical vapor depositionquot;(CVD) em diversas colaborações internacionais. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Fernado Iikawa - Integrante / Helder Galeti - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Odilon Divino Damasceno Couto - Integrante / Ariano D. Rodrigues - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2015-2018. POTENBi - Propriedades Opticas de de Transporte em nanoestruturas III-N/Bi-V para aplicacoes fotovoltaicas - Projeto Pesquisador visitante Especial (PVE) / PROGRAMA CIENCIA SEM FRONTEIRAS - Chamada 09/2014 - Capes 88881.068192/2014-01
Descrição: Neste projeto de pesquisa serão investigadas as propriedades ópticas, magneto-óticas e o transporte eletrônico em nanoestruturas semicondutoras III-N/Bi-V, com vistas a sua aplicação em sistemas fotovoltaicos de alta eficiência. As investigações dessas propriedades vão em direção ao desenvolvimento de uma classe emergente de novos materiais que procuram utilizar o espectro solar na conversão de energia fotovoltaica de forma mais abrangente e eficiente. Em particular, o coordenador técnico pretende desenvolver pesquisas em parceria com o bolsista PVE deste projeto, o Dr. Mircea Guina, tanto no Centro de Pesquisa em Optoeletrônica (ORC) da Tampere University of Technology (Finlândia) quanto nos laboratórios de pesquisa do Departamento de Física e de Engenharia Elétrica da UFSCar, no campus de São Carlos, através de visitas científicas dos integrantes da equipe. Deseja-se inserir a formação de estudantes de pós-graduação e a produção de conhecimento técnico-científico no contexto deste trabalho, através do contato estreito e direto com uma liderança internacionalmente reconhecida na área de tecnologias semicondutoras. Serão avaliadas, de forma sistemática, as propriedades físicas de diversas nanoestruturadas semicondutoras construídas a partir de ligas de materiais III-N/Bi-V, preparadas pela equipe do Dr. Mircea Guina. Para a caracterização das propriedades físicas serão utilizadas técnicas ópticas e magneto-opticas (PL, magneto-PL, transmissão e absorção UV-Vis-IR), além de técnicas de transporte e magneto-transporte (fotocorrente, corrente-tensão DC (I-V), capacitância-tensão (C-V), capacitância-frequencia (C-f), deep-level transient spectroscopy (DLTS)). As propriedades ópticas e magneto-ópticas serão investigadas utilizando a infraestrutura de pesquisa instalada na UFSCar. Além de possibilitar o estudos e a caracterização de propriedades físicas em materiais fotovoltaicos emergentes, a formação de pessoal capacitado para atuar em áreas tecnológicas avançadas é um ponto importante deste projeto. Por fim, vale ressaltar que a adaptação e melhoria das propriedades e performances de células solares é um ponto de interesse estratégico para o país, a fim de aumentar a inovação tecnológica, a competitividade industrial e o desenvolvimento sustentável no campo das energias limpas.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Marcio P. F. De Godoy - Integrante / Mircea Guina - Integrante / Giuseppe Antonio Cirino - Integrante / LUIS ALBERTO MIJAM BAREA - Integrante / Helder Vinícius Avanço Galeti - Coordenador.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2014-2017. Investigacao de propriedades oticas e eletricas de novos materiais semicondutores para aplicacoes no infravermelho (Edital Universal-CNPQ)
Descrição: Esse projeto tem como objetivo realizar o estudo sistemático das propriedades óticas, magnetoópticas, de transporte e magneto-transporte em nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais semicondutores de baixo ?gap? de energia (da ordem de 1 eV) para aplicações em células solares mais eficientes e lasers de poço quântico na região de infravermelho e também para possíveis#10;aplicações em spintrônica. Para isso, contamos com diversas colaborações internacionais tais como:Prof. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) e Prof Robert Kudrawiec do Institute of Physics, Wroclaw University of Technology (Polônia), Prof Mircea Guina do Optoeletronic Research Center-Tampere University of Technology, Prof Charles Cornet do FOTON-OHM Laboratory- Institut#10;National des Sciences Appliquées de Rennes (INSA) Pretendemos estudar diversos sistemas tais comonanoestruturas contendo novos materiais e nanoestruturas semicondutores baseadas em GaBiAs,#10;GaNAsBi, GaAsN, InGaAsN , GaPN, InGaPN, GaAsPN e GaPNSb crescidos em diferentes orientaçõescristalinas. De forma geral, pretendemos investigar: efeitos de localização e de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs , GaAs/ GaNAsBi, e filmes de GaNP/GaP,#10;GaAsP/GaP, GaPNSb/GaP e etc, efeitos de interação spin-órbita, a dependência do fator-g de Landé com o confinamento quântico e com a orientação do campo magnético, a polarização de spin de elétrons e de buracos nesses novos sistemas e etc. Pretendemos explorar esses assuntos tanto do ponto de vista de Física Fundamental como do ponto de Física de Física Aplicada, visando a possível#10;otimização dos dispositivos semicondutores para possíveis aplicações, tais como filtros de spin, célulassolares convencionais e células solares de spin e lasers no infravermelho.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Helder Vinicius A. Galeti - Integrante / Vanessa Orsi Gordo - Integrante / Marcelo Rizzo Piton - Integrante / Gabriela Prando - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnologico - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2013-2016. Quantum transport and magneto-optical phenomena in hybrid magnetic semiconductor/topological insulator heterostructures- Projeto Ciencias sem Fronteiras -Pesquisador visitante especial
Descrição: In this project, we plan to carry out measurements of quantum transport and magneto-optical phenomena in epitaxial heterostructures of 3D topological insulators such as Bi2Se3. In particular, we are interested in exploring the novel physics that emerges when these materials are interfaced with ferromagnetism . We will focus on studying hybrid topological insulator/ferromagnetic semiconductor heterostructure devices with the intent of creating novel opportunities for magnetically gated semiconductor spintronic devices that exploit the inherently spin-polarized nature of electron transport in topological insulator surface states.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Helder Vinicius Avanço Galeti - Integrante / Marcio Peron Franco de Godoy - Coordenador / Nitin Samarth - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2013-2016. Electrical and Optical properties of Semiconductor and Hybrid Semiconductor/Organic Nanostructures and Nanodevices - Projeto Ciencias sem Fronteiras- Capes A067/2013
Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / H. V.A. Galeti - Integrante / M. P. F. de Godoy - Integrante / Mohamed Henini - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Marcio Peron Franco de Godoy - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Helder V.A. Galeti - Integrante / Eronides F. da Silva Jr - Integrante. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Cooperação.
Membro: Marcio Peron Franco de Godoy.
2013-2016. Propriedades oticas, eletricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores -FAPESP Proc: 12/24055-6
Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Helder V.A. Galeti - Integrante / M. P. F. de Godoy - Integrante / Mohamed Henini - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas , elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que vem sendo desenvolvido nos últimos anos, (ii) caracterização ótica e elétrica de nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais semicondutores de interesse em spintrônica tais com nanoestruturas de InGaAsN/GaAs , GaBiAs/GaAs e GaNAsBi/GaAs. Em particular, pretendemos caracterizar diversas amostras com diferentes designs, concentrações de nitrogênio e bismuto, diferentes condições de crescimento, diferentes planos cristalinos e tratamento térmico posterior. (iii) estudo de efeitos de filtragem de spin por defeitos de nanoestruturas semicondutoras de InGaAsN/GaAs e GaAs/GaAsBi. (iv) estudo das propriedades óticas, estruturais e de spin de óxidos magnéticos.De forma geral, pretendemos neste projeto investigar: a polarização de spin de gases bidimensionais de elétrons (2DEG) e de buracos (2DHG), efeitos de interação spin-órbita a dependência da polarização de spin com a orientação do campo magnético, a polarização de spin controlada por voltagem em diodos de tunelamento ressonante magnéticos e não magnéticos, efeitos de filtragen de spin por defeitos em novos materiais semicondutores InGaAsN/GaAs , GaNAsBi/GaAs , GaBiAs/GaAs e propriedas de spin de óxidos magnéticos diversos.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (3) . Integrantes: Marcio Peron Franco de Godoy - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / Helder V.A. Galeti - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Outra.
Membro: Marcio Peron Franco de Godoy.
2010-2012. Estudo das propriedades oticas e magneto-oticas de nanoestruturas semicondutoras- Ed. Universal CNPQ
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Gilmar Eugênio Marques - Integrante / Victor Lopez-Richard - Integrante.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2008-2012. Rede Nacional de Nanobiotecnologia Aplicada a Medicina e a Defesa- Edital 04/2008-CAPES
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Fernando M. Araújo-Moreira - Coordenador. Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2008-2010. Estudo de efeitos de spin em nanoestruturas semicondutoras (CNPq -Edital Universal) Valor: R$35.760,00
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2007-2012. Fenomenos de spin e suas implicacoes nas propriedades eletronicas, opticas e de transporte de sistemas de portadores confinados estendidos. Projeto Tematico Fapesp Proc:06/05765-1. Coordenador: Prof. Gilmar Eugenio Marques
Descrição: Nesse projeto atuei como pesquisadora principal no estudo de propriedades de spin de nanoestruturas semicondutoras. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Gilmar Eugenio Marques - Coordenador / Maria José Santos P Brasil - Integrante / José Carlos Rossi - Integrante / Victor Lopez Richard - Integrante / Guilherme Matos Sipahi - Integrante / Fernando Iikawa - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.Número de orientações: 3
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: Implantação do Laboratório de Magneto Transporte do DF/UFSCar. Magneto supercondutor de 17 Teslas, ótica associada. Estudo de sistemas de spin em nano estruturas.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Doutorado: (2) . Integrantes: Jose Carlos Rossi - Integrante / Yara Galvão Gobato - Integrante / Gilmar Eugenio Marques - Coordenador / Maria José Santos P Brasil - Integrante / Victor Lopez Richard - Integrante / Guilherme Matos Sipahi - Integrante / Fernando Iikawa - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Outra.
Membro: Jose Carlos Rossi.
2006-2008. Espectroscopia Magneto otica em Heteroestruturas Semicondutoras Contendo GaMnAs (Projeto Individual Fapesp Proc: 2006/04872-9)
Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.Número de orientações: 1
Membro: Yara Galvao Gobato.
2005-2007. Edital Universal CNPq 19/2004; Proc: 475762/2004-5Valor R$9000,00
Descrição: Esse projeto tem como objetivo estudar a polarização de spin de eletrons, buracos e complexos excitônicos em heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante. Para isso serão realizadas medidas de I(V) com campo magnético e medidas do grau de polarização circular da fotoluminescência em função da voltagem aplicada na estrutura. Pretendemos explorar o assunto tanto do ponto de vista de Física Fundamental como para possíveis aplicações como filtro de spin. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (1) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador / Maria José SP Brasil - Integrante / Lara Fernandes dos Santos - Integrante / Gilmar Eugênio Marques - Integrante / Hugo Bonette - Integrante / Helder Vinicius A. Galeti - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
2004-2007. Pronex CNPQ/Fapesp (proc:03/09933-8) Nucleo de Excelencia em materiais nanoestruturados fabricados eletroquimicamente. Valor: R$ 660.000,00
Descrição: O projeto tem como objetivo preparar e estudar nanomateriais produzidos por técnica eletroquímicas tais como: (1) filmes metálicos, ligas e multicamadas, (2) filmes de óxidos , (3) polímeros e blendas. Tipo de participação: PESQUISADOR PRINCIPAL. Em particular, sou responsável pelo estudo de propriedades óticas e de transporte de alguns desses nanomateriais.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / Ernesto Pereira - Coordenador / Adilson Jesus de Oliveira - Integrante / Ligia Walmsley - Integrante. Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
Descrição: O projeto tem como objetivo preparar e estudar nanomateriais produzidos por técnica eletroquímicas tais como: (1) filmes metálicos, ligas e multicamadas, (2) filmes de óxidos , (3) polímeros e blendas. Neste projeto, fui classificado pela Fapesp como PESQUISADOR PRINCIPAL. Em particular, sou responsável pelo estudo de propriedades magnéticas e de transporte de alguns desses nanomateriais.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) . Integrantes: Adilson Jesus Aparecido de Oliveira - Coordenador / Yara Galvão Gobato - Integrante / Ernesto Chaves Pereira - Integrante / Lygia Walmsley - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro. Número de produções C, T A: 44 / Número de orientações: 8
Membro: Adilson Jesus Aparecido de Oliveira.
2002-2006. Projeto Tematico Fapesp proc:00-12356-4; Valor:US$ 180000,00; responsavel pelo sub-projeto de tunelamento
Descrição: O projeto tem como objetivo realizar uma estudo das propriedades óticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (5) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Integrante / José Claudio Galzerani - Coordenador / Adenilson Chiquito - Integrante / Sérgio Mergulhão - Integrante. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
1998-2001. Projeto Individual Fapesp 97/10962-0 na area de Heteroestruturas Semicondutoras; Valor:US$ 133295,09
Descrição: O projeto consistiu na MONTAGEM DE UM NOVO LABORATÓRIO DE FOTOLUMINESCÊNCIA no grupo de Semicondutores do DF- UFSCAR com o objetivo de realizar uma estudo das propriedades óticas e de transporte de heteroestruturas de tunelamento ressonante.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (5) / Especialização: (1) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador. Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.
1996-1997. Projeto Funpesquisa/UFSC-SC; Valor R$2500.00
Descrição: Neste projeto, realizamos o estudo das propriedades óticas de diodos a dupla barreira.. Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . Integrantes: Yara Galvão Gobato - Coordenador. Financiador(es): Universidade Federal de Santa Catarina - Auxílio financeiro.
Membro: Yara Galvao Gobato.

Prêmios e títulos

Total de prêmios e títulos (1)

The Best Paper Award - 29th SBMICRO (Symposium on Microelectronics Technology and Devices), 1-5/set/2014, Aracaju-SE, Sociedade Brasileira de Microeletrônica., Sociedade Brasileira de Microeletrônica... 2014.
Membro: Yara Galvão Gobato.

Participação em eventos

Total de participação em eventos (2)

67 Reunião Anual da SBPC.performance nem piano na abertura da SBPC . Repertório: quot;Luzquot; de Edmundo Villani Cortes. 2015. (Outra).
I Workshop de Pesquisa da UFSCAR.I Workshop de Pesquisa da UFSCAR. 2003. (Encontro).

Organização de eventos

Total de organização de eventos (9)

Luis Gregório Dias da Silva ; Felix Hernandez ; Caetano Miranda ; GALVÃO GOBATO, Y.. 18th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (BWSP-2017-comitê nacional) ( http://bwsp18.if.usp.br/?q=node/246)). 2017. Congresso
GALVÃO GOBATO, Y.; Maria José Bell ; Thereza Cristina Lacerda de Paiva. Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (ENFMC-membro de comitê de programa). 2017. Congresso
Hernández-Calderón, Isaac ; HENINI, M. ; GALVÃO GOBATO, Y.. 8th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices ( comitê de programa-http://ldsd.cinvestav.mx/). 2016. Congresso
SIPAHI, G. M. ; Galvao Gobato, Yara ; Lopez-Richard, Victor. 16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2013. Congresso
Virgílio de Carvalho dos Anjos ; GOBATO, Y. G. ; JC Egues ; BRASIL, M. J. S. P. ; SOUZA, P. L. ; Edilson Sérgio Silveira ; Eronides Felisberto da Silva Jr. ; Henri Ivanov Boudinov ; Tomé mauro Schmidt ; Sebastião William da Silva ; Gil de Aquino Farias ; Evaldo Ribeiro ; PSS Guimarães ; Ivan Costa da Cunha Lima ; Jaime A. Freitas ; Sara Cristina Pinto Rodrigues. 15th Brazilian Worshop on Semiconductor Physics. 2011. Congresso
JC Egues ; GM Sipahi ; BRASIL, Maria J. S. P. ; PEREIRA, Ernesto C ; OLIVEIRA, Adilson Jesus de ; Dante H. Mosca ; Esmerindo Bernardes ; Edson Vernek ; GOBATO, Y. G.. Latin American symposium on solid state physics -- SLAFES XX. 2011. 2011. Congresso
JC Egues ; GOBATO, Y. G. ; Adilson J. A. de Oliveira ; Guilherme M. Sipahi ; Esmerindo Bernardes. 1st São Paulo School of Advanced Science: Spintronics and Quantum Computation in São Carlos. 2010. Congresso
JC Egues ; GOBATO, Y. G. ; IC LIma ; Esmerindo Bernardes ; Dante H. Mosca ; Fanyao Qu ; Guilherme M. Sipahi ; Fernando Machado. 5th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS V. 2008. Congresso
GOBATO, Y. G.; SCHULZ, P. A. ; FRATESCH, N. ; AJR da Silva ; R.Capez. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics ( Programme Committee BWSP 14). 2008. Congresso

Lista de colaborações

Colaborações endôgenas (12)

Yara Galvão Gobato ⇔ Gilmar Eugenio Marques (13.0)
GALETI, Helder Vinicios Avanço ; GOBATO, Y. G. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; BRASIL, M. J. S. P. ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; D.K. Maude ; HENINI, M. ; R.J.Airy. Magneto-optical investigation of two-dimensional gases in n-type resonant tunneling diodes. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 27, p. 015018, issn: 0268-1242, 2012.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
RODRIGUES, D. H. ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; Danny Pilar ; MARQUES, G. E. ; HENINI, M.. Anomalous optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 45, p. 215301, issn: 0022-3727, 2012.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
ORSI GORDO, VANESSA ; HERVAL, LEONILSON KS ; GALETI, HELDER VA ; GOBATO, YARA ; Brasil, Maria JSP ; Marques, Gilmar E ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Spin injection in n-type resonant tunneling diodes. Nanoscale Research Letters (Online). v. 7, p. 592, issn: 1931-7573, 2012.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
dos Santos, Lara F ; Galvao Gobato, Yara ; Teodoro, Marcio D ; Lopez-Richard, Victor ; Marques, Gilmar E ; Brasil, Maria JSP ; Orlita, Milan ; Kunc, Jan ; Maude, Duncan K ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device. Nanoscale Research Letters (Online). v. 6, p. 101, issn: 1931-7573, 2011.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Galva o Gobato, Y. ; Galeti, H. V. A. ; dos Santos, L. F. ; Lopez-Richard, Victor ; Cesar, D. F. ; Marques, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Orlita, M. ; Kunc, J. ; Maude, D. K. ; HENINI, M. ; Airey, R. J.. Spin Injection from two dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 99, p. 233507-1-233507-4, issn: 0003-6951, 2011.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, Gilmar Eugêncio ; BRASIL, Maria José Santos Pompeu ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Polarization resolved luminescence in asymmetric n-type GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 92, p. 143505-143508, issn: 0003-6951, 2008.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
GALETI, H.v.a. ; BONETTE, Hugo ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZ-RICHARD, V. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed ; HILL, G.. Role of X valley on the dynamics of electron transport through a GaAs/AlAs double-barrier structure. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. v. 78, p. 165309-165315, issn: 1098-0121, 2008.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
SANTOS, Lara Fernandes dos ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; BRASIL, M. J. P. ; HENINI, Mohamed ; R. Airey. Light Controlled Spin Polarization in asymmetric n-type resonant tunneling diode. Applied Physics Letters. v. 91, p. 73520-1-73520-3, issn: 0003-6951, 2007.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G. ; CAMPS, Ihosvany ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; BRASIL, Maria José Sp ; MAKLER, Sérgio. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. v. 71, n. 075310, p. 75310-0, issn: 1098-0121, 2005.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CAMPS, Ihosvany ; MAKLER, Sergio ; VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G. ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; BRASIL, Maria José Sp. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes.. Solid State Communications. v. 135, n. 4, p. 241-246, issn: 0038-1098, 2005.
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CAMPS, I ; VERCIK, A ; GOBATO, Y Galvao ; BRASIL, M J S P ; MARQUES, G. E. ; MAKLER, S S. Negative Charged Excitons in Double Barrier Diodes. Microelectronics (Luton) (Cessou em 1978. Cont. ISSN 0959-8324 Microelectronics Journal). v. 36, n. 11, p. 1038-1040, issn: 0026-2692, 2005.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. P. ; BITTENCOURT, A. ; TRALLERO-GINER, C. ; MARQUES, G. E.. Resonant magneto-tunneling of photo-generated holes in double barrier structures. Journal of Applied Physics. v. 93, n. 9, p. 5830-5832, issn: 0021-8979, 2003.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Victor Lopez Richard (10.0)
GALETI, Helder Vinicios Avanço ; GOBATO, Y. G. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, Lara Fernandes dos ; BRASIL, M. J. S. P. ; V. Lopez-Richard ; MARQUES, G. E. ; M.Orlita ; Jan Kunc ; D.K. Maude ; HENINI, M. ; R.J.Airy. Magneto-optical investigation of two-dimensional gases in n-type resonant tunneling diodes. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 27, p. 015018, issn: 0268-1242, 2012.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
dos Santos, Lara F ; Galvao Gobato, Yara ; Teodoro, Marcio D ; Lopez-Richard, Victor ; Marques, Gilmar E ; Brasil, Maria JSP ; Orlita, Milan ; Kunc, Jan ; Maude, Duncan K ; Henini, Mohamed ; Airey, Robert J. Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device. Nanoscale Research Letters (Online). v. 6, p. 101, issn: 1931-7573, 2011.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Galva o Gobato, Y. ; Galeti, H. V. A. ; dos Santos, L. F. ; Lopez-Richard, Victor ; Cesar, D. F. ; Marques, G. E. ; BRASIL, M. J. S. P. ; Orlita, M. ; Kunc, J. ; Maude, D. K. ; HENINI, M. ; Airey, R. J.. Spin Injection from two dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters. v. 99, p. 233507-1-233507-4, issn: 0003-6951, 2011.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
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GALETI, H.v.a. ; BONETTE, Hugo ; BRASIL, M. J. S. P. ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZ-RICHARD, V. ; MARQUES, G. E. ; HENINI, Mohamed ; HILL, G.. Role of X valley on the dynamics of electron transport through a GaAs/AlAs double-barrier structure. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics. v. 78, p. 165309-165315, issn: 1098-0121, 2008.
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GALETI, Helder Vinicius A. ; GOBATO, Y. G. ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, Hugo B. de ; HENINI, M. ; HILL, G.. Time-resolved photoluminescence studies in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
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CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, Victor Lopez ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; HILL, G.. Hole Spin polarization in p-type double barrier diodes. Em: 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007, Manaus. Proceedings of 11th International Conference on the formation of Semiconductor Interfaces, 2007.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CARVALHO, Hugo de ; GOBATO, Y. G. ; LOPEZRICHARD, Victor ; BRASIL, Maria José Santos Pompeu ; MARQUES, Gilmar Eugênio ; HENINI, Mohamed ; EAVES, Laurence ; HILL, G. Electric field induced inversion asymmetry on resonant tunneling devices: spin-effcts. Em: At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006, Buenos Aires. At the Frontiers of Condensed Matter III, 2006.
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GOBATO, Y. Galvão ; RICHARD, Victor Lopez ; CARVALHO, H. B. de ; BRASIL, M. J. S. P. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Bias tuned spin-splitting in resonant tunneling devices. Em: 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006, Wurzburg. 17th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, 2006.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CARVALHO, H. B. de ; GOBATO, Y. Galvão ; BRASIL, M. J. S. P. ; SANTOS, L. ; GALETI, H. ; RICHARD, Victor Lopez ; CAMPS, I. ; MARQUES, G ; HENINI, M. ; EAVES, L. ; HILL, G.. Hole Spin Polarization in symmetric and asymmetric p-type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. Em: 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006, Viena. 28th International Conference on the Physics of Semiconductor, 2006.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Marcio Peron Franco de Godoy (6.0)
HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
DE HERVAL, L.K.S. ; TUNCER ARSLANLAR, Y. ; AYVACIKLI, M. ; IIKAWA, F. ; NOBREGA, J.A. ; Pizani, P.S. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; CAN, N. ; HENINI, M. ; DE GODOY, M.P.F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+ -doped SrAl2O4. Journal of Luminescence. v. 162, p. 17-20, issn: 0022-2313, 2015.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CARVALHO, A. H. ; Vanessa Orsi Gordo ; GALETI, Helder V.a. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Marcio Peron Franco de Godoy ; Kudrawiec R ; Lemine O ; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 47, p. 075103, issn: 0022-3727, 2014.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
LOPES-OLIVEIRA, V. ; HERVAL, L.K.S. ; ORSI GORDO, V. ; D.F. Cesar ; Marcio Peron Franco de Godoy ; GALVÃO GOBATO, Y. ; HENINI, Mohamed ; KHATAB, A. ; SADEGHI, M. ; WANG, S. ; SCHMIDBAUER, M.. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics. v. 116, p. 233703, issn: 0021-8979, 2014.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
AYVAC'KL', M. ; CANIMOGLU, A. ; KARABULUT, Y. ; KOTAN, Z. ; HERVAL, L.K.S. ; DE GODOY, M.P.F. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; HENINI, M. ; CAN, N.. Radioluminescence and photoluminescence characterization of Eu and Tb doped barium stannate phosphor ceramics. Journal of Alloys and Compounds. v. 590, p. 417-423, issn: 0925-8388, 2013.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Pusep, Yu. A. ; Gold, A. ; Mamani, N. C. ; de Godoy, M. P. F. ; Galva o Gobato, Y. ; LAPIERRE, R. R.. Electron and hole scattering in short-period in InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics. v. 110, p. 073706-1-073706-6, issn: 0021-8979, 2011.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]

Yara Galvão Gobato ⇔ Ariano De Giovanni Rodrigues (5.0)
RIZZO PITON, MARCELO ; KOIVUSALO, EERO ; HAKKARAINEN, TEEMU ; GALETI, HELDER V A ; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI ; TALMILA, SOILE ; SOUTO, SERGIO ; LUPO, DONALD ; GALVAO GOBATO, Y ; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. NANOTECHNOLOGY. v. 30, p. 335709, issn: 0957-4484, 2019.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
AL MASHARY, FAISAL S. ; DE CASTRO, SUELEN ; DA SILVA, ARLON FERNANDO ; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO ; PITON, MARCELO RIZZO ; GALETI, HELDER VINÍCIUS AVANÇO ; DE GIOVANNI RODRIGUES, ARIANO ; GOBATO, YARA GALVÃO ; AL SAQRI, NOOR ; HENINI, MOHAMED ; AL HUWAYZ, MARYAM M. ; ALBADRI, ABDULRAHMAN M. ; ALYAMANI, AHMED Y. ; ALBRATHEN, HAMAD A. ; ALHUSAINI, SAMI A. ; ALJABER, KHALID M. ; ALANAZI, ALI Z. ; ALGHAMDI, FAHAD S.. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO 2 thin films. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS. v. 766, p. 194-203, issn: 0925-8388, 2018.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
PRANDO, GABRIELA A ; ORSI GORDO, VANESSA ; PUUSTINEN, JANNE ; HILSKA, JOONAS ; ALGHAMDI, HAIFA ; SÖM, GÜLCAN ; GÜNE', MUSTAFA ; AKYOL, MUSTAFA ; SOUTO, SERGIO ; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI ; GALETI, HELDER V A ; HENINI, MOHAMED ; GALVÃO GOBATO, YARA ; GUINA, MIRCEA. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. v. 33, p. 084002, issn: 0268-1242, 2018.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
BALANTA, M. A. G. ; KOPACZEK, J. ; Vanessa Orsi Gordo ; SANTOS, B. H. B. ; RODRIGUES, A. D. ; GALETI, H. V. A. ; RICHARDS, R. D. ; BASTIMAN, F. ; DAVID, J. P. R. ; R. Kudrawiec, ; GALVÃO GOBATO, Y.. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBi As /GaAs multiple quantum wells. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 49, p. 355104, issn: 0022-3727, 2016.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Adilson Jesus Aparecido de Oliveira (4.0)
ASSIS, MARCELO ; PONTES RIBEIRO, RENAN AUGUSTO ; CARVALHO, MARIA HELENA ; TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO ; Gobato, Yara Galvão ; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA ; MENDONÇA, CLEBER RENATO ; DE BONI, LEONARDO ; APARECIDO DE OLIVEIRA, ADILSON JESUS ; BETTINI, JEFFERSON ; ANDRÉS, JUAN ; LONGO, ELSON. Unconventional Magnetization Generated from Electron Beam and Femtosecond Irradiation on. ACS Omega. v. 5, p. 10052-10067, issn: 2470-1343, 2020.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CARVALHO, M H ; RIZZO PITON, M ; LEMINE, O M ; BOUOUDINA, M ; GALETI, H V A ; SOUTO, S ; PEREIRA, E C ; GALVÃO GOBATO, Y ; DE OLIVEIRA, A J A. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In 2 O 3 powder. Materials Research Express. v. 6, p. 025017, issn: 2053-1591, 2019.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Driele von Dreifus ; Marcio de Godoy ; Adriano Rabelo ; Ariano Rodrigues ; GALVÃO GOBATO, Y. ; Paulo de Camargo ; PEREIRA, Ernesto ; OLIVEIRA, A. J. A.. Antiferromagnetism induced by oxygen vacancies in V 2 O 5 polycrystals synthesized by the Pechini method. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print). v. 48, p. 445002, issn: 0022-3727, 2015.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
HERVAL, LEONILSON K.S. ; VON DREIFUS, DRIELE ; RABELO, ADRIANO C. ; RODRIGUES, ARIANO D. ; PEREIRA, ERNESTO C. ; GOBATO, YARA G. ; DE OLIVEIRA, ADILSON J.A. ; DE GODOY, MARCIO P.F.. The role of defects on the structural and magnetic properties of Nb2O5. Journal of Alloys and Compounds. v. 653, p. 358-362, issn: 0925-8388, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Jose Carlos Rossi (4.0)
VIEIRA, E. A. ; ROSSI, J. C. ; VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G.. Observação da tristabilidade aparente em heteroestruturas de tunelamento ressonante. Em: XI Jornadas de Jóvenes Investigadores de AUGM, v. XI, p. 36-37, 2003.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
VIEIRA, E. A. ; ROSSI, J. C. ; VERCIK, Andrés ; GOBATO, Y. G.. Electro-optical Study of The Tristability of Resonant Tunneling Diodes. Em: Frontiers of Nano Enginneering 2003, 2003.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
VIEIRA, E. A. ; VERCIK, Andrés ; ROSSI, J. C. ; GOBATO, Y. G.. Estudo da Histerese Aparente em Diodos de Dupla Barreira. Em: XI Congresso de Iniciação Cientifica da Ufscar, 2003, São Carlos. Anais Do XI Congresso de Iniciação Cientifica da Ufscar. Sâo Carlos: Grafica da UFSCar, v. XI, p. 75, 2003.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
VERCIK, Andres ; VIEIRA, E. A. ; ROSSI, J. C. ; GOBATO, Y. G. ; CAMPS, Ihosvany ; BRASIL, M. J. P. ; MARQUES, G. E.. Probing the tristability in resonant structures. Em: XXIV Encontro Nacional de Fisica Da Matéria Condensada, 2003, Caxambú. Anais do XXIV ENFMC Sociedade Brasileira de Fisica. São Paulo: SBF, v. XXIV, 2003.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Adenilson José Chiquito (3.0)
CHIQUITO, A. J.; SOUZA, Marcelo Gustavo de ; CAMPS, Ishosvany ; GOBATO, Yara Galvão. Temperature dependence of electrical and optical properties in InAs/GaAs and GaAs/InAs/AlAs self-assembled quantum dots. Semiconductor Science and Technology (Print). v. 21, n. 7, p. 912-917, issn: 0268-1242, 2006.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
Chiquito, Adenilson José; PUSEP, Yuri Alexander ; MERGULHÃO, Sérgio ; GOBATO, Yara Galvão ; Galzerani, José Cláudio ; MOSHEGOV, Nicolai. Effects of annealing on the electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system. Materials Research (São Carlos. Impresso). v. 7, n. 3, p. 459-465, issn: 1516-1439, 2004.
[ citações Google Scholar | citações Microsoft Acadêmico | busca Google ]
CHIQUITO, A. J.; Pusep, Yu. A. ; Mergulhão, S. ; Gobato, Y. Galvão ; Galzerani, J. C.. Influence of annealing on the optical and electrical properties os multilayered InAs/GaAs quantum dots. Brazilian Journal of Physics (Impresso). v. 32, n. 2A, p. 287-290, issn: 0103-9733, 2002.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Jose Claudio Galzerani (3.0)
CHIQUITO, A. J.; Pusep, Yu. A. ; Mergulhão, S. ; Gobato, Y. Galvão ; Galzerani, J. C.. Influence of annealing on the optical and electrical properties os multilayered InAs/GaAs quantum dots. Brazilian Journal of Physics (Impresso). v. 32, n. 2A, p. 287-290, issn: 0103-9733, 2002.
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FILEMON, K. E. ; SILVA, W. F. da ; GOBATO, Y. G. ; GALZERANI, J. C. ; HARALYI, N. L. E.. Brazilian natural diamonds characterization using infrared, Raman and photoluminescence measurements. Em: V Meeting on Diamond, Amorphous Carbon, Nanotubes and Related Materials, 2003, Rio de Janeiro. Proceedings of the V Meeting on Diamond, Amorphous Carbon, Nanotubes and Related Materials, v. único, 2003.
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CHIQUITO, A. J. ; PUSEP, Y. A. ; MERGULHÃO, S. ; GOBATO, Y. G. ; GALZERANI, J. C.. Influence of Annealing in the Optical and Electrical Properties of Multilayered InAs/GaAs Quantum Dots. Em: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá (SP). Proceedings of the 10th. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, v. aceito, 2001.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Luís Fernando da Silva (1.0)
TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO ; GOBATO, YARA GALVÃO ; Gracia, Lourdes ; da Silva, Luís Fernando ; Avansi, Waldir ; ASSIS, MARCELO ; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA ; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA ; Andrés, Juan ; LONGO, Elson. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. JOURNAL OF LUMINESCENCE. v. 220, p. 116990, issn: 0022-2313, 2020.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Paulo Sergio Pizani (1.0)
DE HERVAL, L.K.S. ; TUNCER ARSLANLAR, Y. ; AYVACIKLI, M. ; IIKAWA, F. ; NOBREGA, J.A. ; Pizani, P.S. ; GALVÃO GOBATO, Y. ; CAN, N. ; HENINI, M. ; DE GODOY, M.P.F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+ -doped SrAl2O4. Journal of Luminescence. v. 162, p. 17-20, issn: 0022-2313, 2015.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Vivaldo Leiria Campo Junior (1.0)
Teodoro, M. D. ; Campo, V. L. ; Lopez-Richard, V. ; Marega, E. ; Marques, G. E. ; Gobato, Y. Galvão ; Iikawa, F. ; Brasil, M. J. S. P. ; AbuWaar, Z. Y. ; Dorogan, V. G. ; Mazur, Yu. I. ; Benamara, M. ; Salamo, G. J.. Aharonov-Bohm Interference in Neutral Excitons: Effects of Built-In Electric Fields. Physical Review Letters (Print). v. 104, p. 086401-1-086401-4, issn: 0031-9007, 2010.
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Yara Galvão Gobato ⇔ Waldir Avansi Junior (1.0)
TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO ; GOBATO, YARA GALVÃO ; Gracia, Lourdes ; da Silva, Luís Fernando ; Avansi, Waldir ; ASSIS, MARCELO ; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA ; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA ; Andrés, Juan ; LONGO, Elson. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. JOURNAL OF LUMINESCENCE. v. 220, p. 116990, issn: 0022-2313, 2020.
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Data de processamento: 12/10/2020 23:49:36

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Relatório de produção acadêmica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) Departamento de Física (DF)

Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) Campus São Carlos

Plataforma Lattes / outubro de 2020

Yara Galvao Gobato

Produção bibliográfica

Produção técnica

Produção artística

Orientações em andamento

Supervisões e orientações concluídas

Projetos de pesquisa

Prêmios e títulos

Participação em eventos

Organização de eventos

Lista de colaborações

Produção bibliográfica

Produção técnica

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Supervisões e orientações concluídas

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